K4S641632K-UC75
PDSO54 Synchronous DRAM chip offering 4MX16 storage and operating at 5.4ns speed in CMOS technologyK4S641632K-UC75
PDSO54 Synchronous DRAM chip offering 4MX16 storage and operating at 5.4ns speed in CMOS technology
品質保證
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服務與包裝
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在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
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K4S641632K-UC75 數據表
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詳細說明
GENERAL DESCRIPTIONThe K4S640832K / K4S641632K is 67,108,864 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 2,097,152 words by 8 bits, / 4 x 1,048,576 words by 16 bits, fabricated with SAMSUNG′s high performance CMOS technology. Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock I/O transactions are possible on every clock cycle. Range of operating frequencies, programmable burst length and programmable latencies allow the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications.FEATURES• JEDEC standard 3.3V power supply• LVTTL compatible with multiplexed address• Four banks operation• MRS cycle with address key programs -. CAS latency (2 & 3) -. Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page) -. Burst type (Sequential & Interleave)• All inputs are sampled at the positive going edge of the system clock• Burst read single-bit write operation• DQM (x8) & L(U)DQM (x16) for masking• Auto & self refresh• 64ms refresh period (4K cycle)• Pb/Pb-free Package• RoHS compliant for Pb-free Package
![](/files/uploads/product/b/0c8ebe4fef9a4294a351226fe1ecffdf.webp)
主要特徵
- JEDEC standard 3.3V power supply
- LVTTL compatible with multiplexed address
- Four banks operation
- MRS cycle with address key programs
- -. CAS latency (2 & 3)
- -. Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page)
- -. Burst type (Sequential & Interleave)
- All inputs are sampled at the positive going edge of the system clock
- Burst read single-bit write operation
- DQM (x8) & L(U)DQM (x16) for masking
- Auto & self refresh
- 64ms refresh period (4K cycle)
- Pb/Pb-free Package
- RoHS compliant for Pb-free Package
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Obsolete | Reach Compliance Code | |
ECCN Code | EAR99 | HTS Code ! | 8542.32.00.02 |
Access Mode ! | FOUR BANK PAGE BURST | Access Time-Max | 5.4 ns |
Additional Feature ! | AUTO/SELF REFRESH | Clock Frequency-Max (fCLK) | 133 MHz |
I/O Type | COMMON | Interleaved Burst Length | 1,2,4,8 |
JESD-30 Code | R-PDSO-G54 | JESD-609 Code | e6 |
Length | 22.22 mm | Memory Density | 67108864 bit |
Memory IC Type | SYNCHRONOUS DRAM | Memory Width | 16 |
Moisture Sensitivity Level | 3 | Number of Functions | 1 |
Number of Ports ! | 1 | Number of Terminals | 54 |
Number of Words | 4194304 words | Number of Words Code | 4000000 |
Operating Mode ! | SYNCHRONOUS | Operating Temperature-Max | 70 °C |
Operating Temperature-Min | Organization | 4MX16 | |
Output Characteristics | 3-STATE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | TSOP2 | Package Equivalence Code | TSOP54,.46,32 |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Power Supplies ! | 3.3 V |
Qualification Status ! | Not Qualified | Refresh Cycles | 4096 |
Seated Height-Max | 1.2 mm | Self Refresh | YES |
Sequential Burst Length | 1,2,4,8,FP | Standby Current-Max | 0.001 A |
Supply Current-Max | 0.085 mA | Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6 V |
Supply Voltage-Min (Vsup) | 3 V | Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3.3 V |
Surface Mount ! | YES | Technology | CMOS |
Temperature Grade ! | COMMERCIAL | Terminal Finish | TIN BISMUTH |
Terminal Form ! | GULL WING | Terminal Pitch ! | 0.8 mm |
Terminal Position | DUAL | Width | 10.16 mm |
Specification Comparison
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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