IXFR90N30

N-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET with 0.033ohm
7,697 有效庫存

IXFR90N30

有效庫存7,697

N-Channel Silicon Metal-oxide Semiconductor FET with 0.033ohm

  • 製造商零件號 # : IXFR90N30

  • 包裝/封裝: TO-247-3

  • 製造商: Littelfuse

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

品質保證

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捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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詳細說明

The IXFR90N30 is the epitome of excellence in the N-Channel HiPerFET™ Standard series, delivering unparalleled performance and reliability for a wide range of applications. Whether you're looking for a MOSFET for hard switching or resonant mode uses, this Power MOSFET surpasses expectations with its low gate charge and exceptional ruggedness. Its fast intrinsic diode further enhances its efficiency, ensuring optimal performance in your projects. With various standard industrial packages available, including isolated types, the IXFR90N30 offers versatility and reliability for all your industrial needs

主要特徵

  • Wide Operating Range
  • Silicone-Free Epoxy
  • Absorption Limited
  • Self-Protecting Diode
  • Rapid Diode Response

應用

  • DC-DC converters
  • Battery chargers
  • Switched-mode and resonant-mode power supplies
  • DC choppers
  • AC Motor Drives
  • Temperature and Lighting Controls
  • Advantages:
  • Easy to mount
  • Space savings
  • High power density

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Pbfree Code Yes Rohs Code Yes
Part Life Cycle Code Obsolete Pin Count ! 3
Reach Compliance Code compliant ECCN Code EAR99
Additional Feature ! AVALANCHE RATED Avalanche Energy Rating (Eas) 3000 mJ
Case Connection ISOLATED Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 300 V Drain Current-Max (Abs) (ID) 75 A
Drain Current-Max (ID) 75 A Drain-source On Resistance-Max 0.033 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 Code R-PSIP-T3
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Mode ! ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 400 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 360 A Qualification Status ! Not Qualified
Surface Mount ! NO Terminal Form ! THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
Manufacturer IXYS Product Category ! MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-247-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 300 V Id - Continuous Drain Current 75 A
Rds On - Drain-Source Resistance 36 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4.5 V Qg - Gate Charge 360 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature ! + 150 C
Pd - Power Dissipation 417 W Channel Mode Enhancement
Tradename HyperFET Series IXFR90N30
Brand IXYS Fall Time 40 ns
Forward Transconductance - Min 40 S Height 21.34 mm
Length 16.13 mm Product Type ! MOSFET
Rise Time ! 55 ns Factory Pack Quantity 30
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Type HiPerFET Power MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 100 ns
Typical Turn-On Delay Time 42 ns Width 5.21 mm
Unit Weight 0.211644 oz

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 IXFR90N30 PDF 下載

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