IXFH26N50

MOSFET DIODE Id26 BVdass500
3,812 有效庫存

IXFH26N50

有效庫存3,812

MOSFET DIODE Id26 BVdass500

  • 製造商零件號 # : IXFH26N50

  • 包裝/封裝: TO-247-3

  • 製造商: Littelfuse

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

品質保證

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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

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我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

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服務與包裝

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在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。

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例子

捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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詳細說明

The N-Channel HiPerFET™ Standard series, featuring product IXFH26N50, is a go-to option for engineers and designers looking for high-performance power MOSFETs. Its low gate charge and excellent ruggedness, combined with a fast intrinsic diode, make it an ideal choice for both hard switching and resonant mode applications. Moreover, its availability in standard industrial packages, including isolated types, enhances its accessibility and ease of integration into different systems

主要特徵

  • Silicon Carbide Process
  • Avalanche Robustness
  • Low Package Capacitance

應用

  • Flexible integration
  • Wide voltage range
  • Smart control

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Drain-Source Voltage (V) 500 Maximum On-Resistance @ 25 ℃ (Ohm) 0.2
Continuous Drain Current @ 25 ℃ (A) 26 Gate Charge (nC) 135
Input Capacitance, CISS (pF) 4200 Thermal resistance [junction-case] (K/W) 0.42
Configuration Single Package Type TO-247
Power Dissipation (W) 298 Maximum Reverse Recovery (ns) 250
Replaced By Part Number IXFH30N50Q3 Sample Request No

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