IHW30N120R3FKSA1

TO-247-packaged IGBT chip
8,315 有效庫存

IHW30N120R3FKSA1

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TO-247-packaged IGBT chip

  • 製造商零件號 # : IHW30N120R3FKSA1

  • 包裝/封裝: TO-247-3

  • 零件狀態 : OBSOLETE

  • 製造商: Infineon Technologies

  • 產品分類 : Single IGBTs

品質保證

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運輸與付款

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捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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詳細說明

The IHW30N120R3FKSA1 is a high-power transistor designed for applications requiring a DC collector current of up to 60A. With a collector emitter saturation voltage of 1.55V and a power dissipation of 349W, this IGBT transistor can handle high-power loads efficiently. It has a collector emitter voltage of 1.2Kv, making it suitable for high voltage applications. The transistor is housed in a TO-247 case style with 3 pins for easy installation. Additionally, it is RoHS compliant, ensuring it meets environmental standards for hazardous substances

主要特徵

  • High power density in 30x19mm footprint
  • High energy efficiency with low Vce(on) and Eoff
  • High reliability with rugged body diode
  • Optimized for soft switching and resonant topologies
  • Integrated temperature sensor for thermal management
  • Enhanced surge current capability

應用

  • Electric vehicles
  • Renewable energy systems
  • Industrial motor drives
  • High-frequency inverters
  • UPS (uninterruptible power supplies)
  • Power supplies for data centers
  • Power factor correction systems
  • Welding equipment
  • Induction heating systems
  • Servo drives

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Series TrenchStop® Package Tube
Product Status Obsolete Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max) 60 A Current - Collector Pulsed (Icm) 90 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.75V @ 15V, 30A Power - Max 349 W
Switching Energy 1.47mJ (off) Input Type Standard
Gate Charge ! 263 nC Td (on/off) @ 25°C -/326ns
Test Condition 600V, 30A, 10Ohm, 15V Operating Temperature ! -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Package / Case TO-247-3
Supplier Device Package PG-TO247-3-1 Base Product Number IHW30

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