IHW30N100T
30A I(C) Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES Voltage, N-Channel, TO-247AD Package, Green Plastic Housing, 3-Pin ConfigurationIHW30N100T
30A I(C) Insulated Gate Bipolar Transistor, 1000V V(BR)CES Voltage, N-Channel, TO-247AD Package, Green Plastic Housing, 3-Pin Configuration
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製造商零件號 # : IHW30N100T
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包裝/封裝: TO-247-3
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零件狀態 : OBSOLETE
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製造商: Infineon Technologies
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產品分類 : Single IGBTs
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RoHS:
品質保證
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捲帶式
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IHW30N100T 數據表
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詳細說明
IGBT Trench Field Stop 1000 V 60 A 412 W Through Hole PG-TO247-3-1
主要特徵
- 1.1V Forward voltage of antiparallel rectifier diode
- Specified for TJmax = 175°C
- TrenchStop® and Fieldstop technology for 1000 V applications
- offers :
- - very tight parameter distribution
- - high ruggedness, temperature stable behavior
- - easy parallel switching capability due to positive
- temperature coefficient in VCE(sat)
- Low EMI
- Qualified according to JEDEC1 for target applications
- Application specific optimisation of inverse diode
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Series | TrenchStop® | Package | Tube |
Product Status | Obsolete | IGBT Type | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 30A |
Power - Max | 412 W | Switching Energy | 1.6mJ (off) |
Input Type | Standard | Gate Charge ! | 217 nC |
Td (on/off) @ 25°C | 35ns/546ns | Test Condition | 600V, 30A, 15Ohm, 15V |
Operating Temperature ! | -40°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Package / Case | TO-247-3 | Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
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