H5TQ4G63AFR-PBC
Packaged in a 96-ball FBGA with PBGA design, utilizing CMOS technology for efficient performanceH5TQ4G63AFR-PBC
Packaged in a 96-ball FBGA with PBGA design, utilizing CMOS technology for efficient performance
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製造商零件號 # : H5TQ4G63AFR-PBC
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包裝/封裝: BGA96
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製造商: Hynix
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產品分類 : Memory
品質保證
品質保證
從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外,我們還保存這些檢查的詳細記錄,以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
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運輸與付款
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服務與包裝
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捲帶式
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H5TQ4G63AFR-PBC 數據表
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詳細說明
The H5TQ4G63AFR-PBC is a 4Gb LPDDR4X SDRAM (Low Power Double Data Rate 4X Synchronous Dynamic Random Access Memory) designed for use in mobile devices such as smartphones and tablets. It offers a data transfer rate of up to 4266Mbps and operates at a low voltage of 1.1V, making it energy-efficient and suitable for battery-powered devices.This LPDDR4X SDRAM features a x16 I/O interface, a burst length of 8 or 16, and supports on-die termination (ODT) and off-chip driver (OCD) calibration, ensuring high-speed and reliable data transmission. The H5TQ4G63AFR-PBC also incorporates advanced power-saving features such as temperature-compensated self-refresh (TCSR) and deep power-down mode to further reduce power consumption when the device is idle.
![H5TQ4G63AFR-PBC H5TQ4G63AFR-PBC](/files/uploads/product/b/73b31fbd-e4eb-4bf9-7a73-08dbc6589f1e.webp)
主要特徵
- This is a 2Gb DDR3 SDRAM IC
- Operates at a frequency of up to 533MHz
- Features low power consumption with a voltage supply of 1.2V
應用
- Maximize your device's capabilities
- Seamless data transfer experience
- Unleash the power of H5TQ4G63AFR-PBC
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Obsolete |
Part Package Code | BGA | Pin Count ! | 96 |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
HTS Code ! | 8542.32.00.36 | Access Mode ! | MULTI BANK PAGE BURST |
Access Time-Max | 0.225 ns | Additional Feature ! | AUTO/SELF REFRESH |
Clock Frequency-Max (fCLK) | 800 MHz | I/O Type | COMMON |
Interleaved Burst Length | 4,8 | JESD-30 Code | R-PBGA-B96 |
Length | 13 mm | Memory Density | 4294967296 bit |
Memory IC Type | DDR3 DRAM | Memory Width | 16 |
Number of Functions | 1 | Number of Ports ! | 1 |
Number of Terminals | 96 | Number of Words | 268435456 words |
Number of Words Code | 256000000 | Operating Mode ! | SYNCHRONOUS |
Operating Temperature-Max | 85 °C | Operating Temperature-Min | |
Organization | 256MX16 | Output Characteristics | 3-STATE |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Code | TFBGA |
Package Equivalence Code | BGA96,9X16,32 | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Power Supplies ! | 1.5 V | Qualification Status ! | Not Qualified |
Refresh Cycles | 8192 | Seated Height-Max | 1.2 mm |
Self Refresh | YES | Sequential Burst Length | 4,8 |
Standby Current-Max | 0.017 A | Supply Current-Max | 0.22 mA |
Supply Voltage-Max (Vsup) | 1.575 V | Supply Voltage-Min (Vsup) | 1.425 V |
Supply Voltage-Nom (Vsup) | 1.5 V | Surface Mount ! | YES |
Technology | CMOS | Temperature Grade ! | OTHER |
Terminal Form ! | BALL | Terminal Pitch ! | 0.8 mm |
Terminal Position | BOTTOM | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Width | 9 mm |
Specification Comparison
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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