G3R75MT12J

R75MT12J, is a MOSFET featuring Silicon Carbide technology, capable of handling 1200 volts with a resistance of 75 milliohms, packaged in TO-263-7
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G3R75MT12J

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R75MT12J, is a MOSFET featuring Silicon Carbide technology, capable of handling 1200 volts with a resistance of 75 milliohms, packaged in TO-263-7

  • 製造商零件號 # : G3R75MT12J

  • 包裝/封裝: TO-263-7

  • 零件狀態 : Active

  • 製造商: GeneSiC Semiconductor

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

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詳細說明

The G3R75MT12J is a Silicon Carbide (SIC) Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) that operates as an N-channel device with a current rating of 42A. The package type for this component is TO263-7, which refers to a small outline transistor, capable of handling high power and high voltage applications. SIC MOSFETs are known for their superior performance compared to traditional silicon-based MOSFETs due to their higher breakdown voltage, faster switching speeds, and lower switching losses. This makes them ideal for applications requiring high efficiency and power density, such as power converters, inverters, motor drives, and electric vehicles. The G3R75MT12J is designed for high-speed switching and efficient power management, making it suitable for demanding industrial and automotive applications. Its low on-resistance and high current capability enable it to handle high power levels while maintaining high efficiency and reliability.

主要特徵

  • G3R75MT12J is a high-quality, reliable electronic component
  • It has a compact design, making it suitable for a variety of applications
  • With a maximum operating temperature of 125 degrees Celsius, it can withstand high-temperature environments
  • This component offers excellent performance and durability
  • It is easy to install and use

應用

  • Industrial automation
  • Robotics
  • Motor control
  • Power supplies
  • Renewable energy systems
  • Electric vehicles
  • Uninterruptible power supplies
  • Medical equipment
  • Telecommunications
  • Lighting systems

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Manufacturer GeneSiC Semiconductor Product Category ! MOSFET
RoHS Details Technology SiC
Mounting Style SMD/SMT Package / Case TO-263-7
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 1.2 kV Id - Continuous Drain Current 38 A
Rds On - Drain-Source Resistance 75 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 5 V, + 15 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.7 V Qg - Gate Charge 47 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature ! + 175 C
Pd - Power Dissipation 196 W Channel Mode Enhancement
Series G3R Brand GeneSiC Semiconductor
Configuration Single Fall Time 6 ns
Forward Transconductance - Min 9 S Product MOSFET
Product Type ! MOSFET Rise Time ! 12 ns
Factory Pack Quantity 50 Subcategory MOSFETs
Transistor Type MOSFET Type SiC MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 15 ns Typical Turn-On Delay Time 15 ns
Unit Weight 0.056438 oz

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