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G3R160MT12D
123W power dissipation at 10A
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製造商零件號 # : G3R160MT12D
-
包裝/封裝: TO-247-3
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零件狀態 : Active
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製造商: GeneSiC Semiconductor
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
G3R160MT12D 數據表
價格 (USD)
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1 | $5.878 | $5.88 |
| 200 | $2.276 | $455.20 |
| 500 | $2.195 | $1,097.50 |
| 1000 | $2.155 | $2,155.00 |
這些價格會受到市場波動的影響，需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
The G3R160MT12D is an N-channel power MOSFET that is designed for high voltage applications. It has a voltage rating of 1200V and a continuous drain current of 22A when the case temperature is at 25 degrees Celsius. Additionally, it has a maximum power dissipation of 123W when the case temperature is at 25 degrees Celsius. This particular MOSFET is in a TO-247-3 package, which is a through-hole package that allows for easy mounting and heatsinking. The TO-247 package is known for its high power handling capabilities and low thermal resistance, making it ideal for use in applications where high power dissipation is required. The G3R160MT12D is designed to provide efficient switching performance, low on-resistance, and high ruggedness, making it suitable for use in various power conversion applications such as motor drives, power supplies, solar inverters, and industrial equipment.
主要特徵
- Fast switching speed
- High power density
- Low on-state voltage drop
- High repetitive peak off-state voltage
- Isolated mounting base, providing easy heat sinking
- Designed for industrial applications
- Compact and lightweight
- RoHS compliant
應用
- Industrial automation
- Robotic arms
- Machine tooling
- Automotive manufacturing
- Material handling systems
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Manufacturer | GeneSiC Semiconductor | Product Category ! | MOSFET |
| RoHS | Details | Technology | SiC |
| Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 1.2 kV | Id - Continuous Drain Current | 19 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 160 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 5 V, + 15 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.7 V | Qg - Gate Charge | 23 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation | 106 W | Channel Mode | Enhancement |
| Series | G3R | Brand | GeneSiC Semiconductor |
| Configuration | Single | Fall Time | 9 ns |
| Forward Transconductance - Min | 4.4 S | Product | MOSFET |
| Product Type ! | MOSFET | Rise Time ! | 9 ns |
| Factory Pack Quantity | 30 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | MOSFET | Type | SiC MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 16 ns | Typical Turn-On Delay Time | 16 ns |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
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