FGB20N60SFD-F085
Insulated Gate Bipolar Transistor with a voltage capacity of 600 voltsFGB20N60SFD-F085
Insulated Gate Bipolar Transistor with a voltage capacity of 600 volts
品質保證
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運輸與付款
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詳細說明
For those seeking the best-in-class IGBT technology, look no further than the FGB20N60SFD-F085 series from ON Semiconductor. By incorporating innovative field-stop design principles, these components deliver unparalleled performance and reliability in demanding applications such as automotive chargers and power inverters. With a focus on minimizing energy losses and improving overall efficiency, these IGBTs are the go-to choice for engineers looking to optimize their designs and meet the evolving demands of the industry
主要特徵
- Optimized for High-Power Applications
- Superior Thermal Management
- Faster Switching Times
- Integrated Overcurrent Protection
應用
- Switching power supplies
- Motor control
- Induction heating systems
- Welding equipment
- High power inverters
- UPS systems
- Electric vehicle charging systems
- Solar inverters
- Uninterruptible power supplies
- Industrial automation
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Manufacturer | onsemi | Product Category ! | IGBT Transistors |
RoHS | Details | Technology | Si |
Package / Case | SC-70-3 | Mounting Style | SMD/SMT |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 2.2 V | Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, 20 V |
Continuous Collector Current at 25 C | 40 A | Pd - Power Dissipation | 208 W |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 150 C |
Series | FGB20N60S_F085 | Qualification | AEC-Q101 |
Brand | onsemi / Fairchild | Continuous Collector Current Ic Max | 20 A |
Gate-Emitter Leakage Current | 400 nA | Product Type ! | IGBT Transistors |
Factory Pack Quantity | 800 | Subcategory | IGBTs |
Part # Aliases | FGB20N60SFD_F085 | Unit Weight | 0.046296 oz |
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