FDMD8560L
MOSFET 60V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET
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製造商零件號 # : FDMD8560L
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包裝/封裝: PQFN-8
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零件狀態 : Obsolete
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製造商: ON SEMICONDUCTOR
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產品分類 : FET, MOSFET Arrays
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RoHS:
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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捲帶式
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管或託盤
FDMD8560L 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $2.131 | $2.13 |
200 | $0.826 | $165.20 |
500 | $0.797 | $398.50 |
1000 | $0.783 | $783.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
This device includes two 60V N-Channel MOSFETs in a dual power (5 mm X 6 mm) package. HS source and LS drain internally connected for half/full bridge, low source inductance package, low rDS(on)/Q FOM silicon.
主要特徵
- Compact Design
Easy Installation - Safe and Reliable Operation
Low Power Consumption - High Efficiency
Fast Charging Capabilities - Metal Can Epoxy Package
Improved Thermal Dissipation - Excellent Heat Resistance
Long Product Life - Precise Control System
Stable Operation Performance
應用
- Great for all types of projects
- Perfect for everyday use
- Versatile and dependable
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Part Life Cycle Code | End Of Life |
Ihs Manufacturer | ON SEMICONDUCTOR | Package Description | SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8 |
Manufacturer Package Code | 483AT | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 4 Weeks |
Samacsys Manufacturer | onsemi | Avalanche Energy Rating (Eas) | 384 mJ |
Case Connection | DRAIN SOURCE | Configuration | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 60 V | Drain Current-Max (Abs) (ID) | 93 A |
Drain Current-Max (ID) | 93 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0032 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 60 pF |
JEDEC-95 Code | MO-240AA | JESD-30 Code | R-PDSO-N8 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 2 | Number of Terminals | 8 |
Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 48 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 550 A |
Surface Mount ! | YES | Terminal Finish | MATTE TIN |
Terminal Form ! | NO LEAD | Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON | Turn-off Time-Max (toff) | 110 ns |
Turn-on Time-Max (ton) | 61 ns |
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