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2SC5810(TE12L,F)
2SC5810(TE12L,F) from Toshiba: NPN Bipolar Transistor Rated for 1A Current and 50V Voltage in SC-62 Package
2SC5810(TE12L,F)
2SC5810(TE12L,F) from Toshiba: NPN Bipolar Transistor Rated for 1A Current and 50V Voltage in SC-62 Package
品質保證
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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
認證
我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
2SC5810(TE12L,F) 數據表
價格 (USD)
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 5 | $0.116 | $0.58 |
| 50 | $0.099 | $4.95 |
| 150 | $0.092 | $13.80 |
| 1000 | $0.086 | $86.00 |
| 2000 | $0.081 | $162.00 |
| 5000 | $0.078 | $390.00 |
這些價格會受到市場波動的影響，需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
The 2SC5810(TE12L,F) is a high voltage NPN transistor designed for use in high-speed switching applications. It has a maximum collector-base voltage of 700V and a collector current of 100mA. The transistor is housed in a TO-126 package, which is a popular choice for medium power applications. This transistor is characterized by its high voltage capability, allowing it to be used in a variety of high voltage circuits. It has a low collector-emitter saturation voltage, which helps reduce power dissipation and improve efficiency in switching applications. The 2SC5810(TE12L,F) has a transition frequency of 100MHz, making it suitable for high-speed switching applications. It also has a low input capacitance, which helps reduce switching times and improve overall performance. This transistor is RoHS compliant, meaning it complies with environmental regulations regarding the use of hazardous substances in electronic products. It is suitable for use in a wide range of applications, including power supplies, inverters, and motor control systems.
主要特徵
- NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
- High voltage and high-speed switching applications
- High DC current gain
- Low collector-to-emitter saturation voltage
- Complementary to 2SA2280(TE12L,F)
- RoHS compliant
- Available in a TO-220F package
應用
- Power amplifiers
- Switching circuits
- Motor control applications
- DC-DC converters
- Voltage regulators
- Audio amplifiers
- Lighting control systems
- Industrial automation
- Consumer electronics
- Telecommunication equipment
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Product Category ! | Bipolar Transistors - BJT | RoHS | Details |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SC-62-3 |
| Transistor Polarity | NPN | Configuration | Single |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V | Collector- Base Voltage VCBO | 100 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 170 mV |
| Maximum DC Collector Current | 1 A | Maximum Operating Temperature ! | + 150 C |
| Series | 2SC5810 | Brand | Toshiba |
| Product Type ! | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity | 1000 |
| Subcategory | Transistors | Technology | Si |
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