2SC2712-Y
Bipolar Transistors - BJT 2SC2712-Y
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製造商零件號 # : 2SC2712-Y
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包裝/封裝: SOT23-3
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製造商: Toshiba Semiconductor And Storage
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產品分類 : Single Bipolar Transistors
品質保證
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詳細說明
The 2SC2712-Y is a silicon NPN epitaxial planer transistor designed for high-frequency amplifier applications. It is manufactured by Toshiba and features a maximum collector current of 100mA and a collector-base voltage of 15V. The transistor has a low noise figure and high gain, making it suitable for use in RF amplifier circuits.The 2SC2712-Y comes in a TO-92S package and has a compact size, making it easy to integrate into various electronic devices. It has a transition frequency of 500MHz and a power dissipation of 175mW, ensuring reliable performance in demanding applications.This transistor is characterized by its high voltage gain, low noise, and low distortion, making it ideal for use in radio frequency amplifiers, oscillator circuits, mixer circuits, and other high-frequency applications. Its small form factor and high performance make it a versatile choice for designers looking to achieve high-quality amplification in a compact package.
![2SC2712-Y 2SC2712-Y](/files/uploads/product/b/1bdff025f9434d36886346ea3a6ea1a7.webp)
主要特徵
- High breakdown voltage
- Low noise figure
- High gain
- Low power consumption
- Small signal NPN epitaxial silicon transistor
- Designed for high frequency amplification
應用
- Audio amplification
- Signal processing
- Switching applications
- Power management
- Amplifier stages
- Radio frequency amplification
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Category ! | Bipolar Transistors - BJT | RoHS | Details |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | NPN |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
Collector- Base Voltage VCBO | 60 V | Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 250 mV | Maximum DC Collector Current | 150 mA |
Pd - Power Dissipation | 150 mW | Gain Bandwidth Product fT | 80 MHz |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 125 C |
Series | 2SC2712 | Brand | Toshiba |
Continuous Collector Current | 150 mA | DC Collector/Base Gain hfe Min | 70 |
DC Current Gain hFE Max | 700 | Height | 1.1 mm |
Length | 2.9 mm | Product Type ! | BJTs - Bipolar Transistors |
Factory Pack Quantity | 10000 | Subcategory | Transistors |
Technology | Si | Width | 1.5 mm |
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