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2SK2333
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 700V, 2ohm
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製造商零件號 # : 2SK2333
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包裝/封裝: TO-220
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製造商: SHINDENGEN
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
品質保證
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服務與包裝
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2SK2333 數據表
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詳細說明
The 2SK2333 is a N-channel Power MOSFET transistor typically used in power supply circuits, audio amplifier circuits, motor control applications, and other power switching applications. It can handle a maximum drain-source voltage of 500V and a continuous drain current of 9A, making it suitable for medium to high-power applications.The 2SK2333 features a low on-resistance of 1.2 ohms, which helps reduce power dissipation and improve efficiency in switching applications. It also has a high pulsed drain current of 36A, allowing it to handle brief spikes in current without any issues.This MOSFET transistor has a gate-source threshold voltage of 2 to 4V, making it easy to drive with most standard logic levels. The input capacitance is around 1200pF, and the output capacitance is around 450pF, which ensures fast switching times and overall high-speed performance.The 2SK2333 comes in a TO-220 package, which is commonly used for medium-power transistors and provides good thermal dissipation.
主要特徵
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- High breakdown voltage
- Low gate charge
- Enhanced temperature stability
應用
- Power amplifiers
- Motor control
- Switching regulators
- DC-DC converters
- Electronic ballasts
- Lighting control systems
- Audio amplifiers
- Power supplies
- Industrial equipment
- Telecommunication devices
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Rohs Code | No | Part Life Cycle Code | Obsolete |
| Part Package Code | TO-220AB | Pin Count ! | 3 |
| Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 190 mJ | Case Connection | ISOLATED |
| Configuration | SINGLE | DS Breakdown Voltage-Min | 700 V |
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 6 A | Drain Current-Max (ID) | 6 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 2 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95 Code | TO-220AB | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
| JESD-609 Code | e0 | Moisture Sensitivity Level | 2 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
| Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | FLANGE MOUNT | Peak Reflow Temperature (Cel) | 240 |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 50 W |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 18 A | Qualification Status ! | Not Qualified |
| Surface Mount ! | NO | Terminal Finish | TIN LEAD |
| Terminal Form ! | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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