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VP2106N3
Small signal field-effect transistor with a current rating of 0
VP2106N3
Small signal field-effect transistor with a current rating of 0
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製造商零件號 # : VP2106N3
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包裝/封裝: TO-92-3
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零件狀態 : OBSOLETE
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製造商: Microchip Technology
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
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服務與包裝
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例子
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VP2106N3 數據表
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詳細說明
Compared to traditional transistors, VP2106N3-G power MOSFETs, developed by Microchip Technology, are able to both quickly switch between data lines as well as amplify the signals themselves.Its maximum power dissipation is 740 mW.This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.
主要特徵
- ❏ Free from secondary breakdown
- ❏ Low power drive requirement
- ❏ Ease of paralleling
- ❏ Low CISS and fast switching speeds
- ❏ Excellent thermal stability
- ❏ Integral Source-Drain diode
- ❏ High input impedance and high gain
- ❏ Complementary N- and P-channel devices
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Product Category ! | MOSFET | RoHS | N |
| Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-92-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current | 250 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 12 Ohms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature ! | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 740 mW |
| Channel Mode | Enhancement | Brand | Microchip Technology |
| Configuration | Single | Fall Time | 5 ns |
| Product | MOSFET Small Signals | Product Type ! | MOSFET |
| Rise Time ! | 5 ns | Factory Pack Quantity | 1000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
| Type | FET | Typical Turn-Off Delay Time | 5 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 4 ns | Unit Weight | 0.016000 oz |
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