SSM6N815R,LF
SSM6N815R,LF - MOSFET with 103mΩ On-Resistance at 2A and 10V Power Dissipation of 1.8WSSM6N815R,LF
SSM6N815R,LF - MOSFET with 103mΩ On-Resistance at 2A and 10V Power Dissipation of 1.8W
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SSM6N815R,LF 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $0.329 | $0.33 |
200 | $0.132 | $26.40 |
500 | $0.127 | $63.50 |
1000 | $0.125 | $125.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
The SSM6N815R,LF is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) electronic component with a 2N-CH (N-Channel) configuration, able to handle up to 100V and 2A of current. It comes in a compact 6TSOPF (Thin Small Outline Plastic Flat) package, making it suitable for use in various electronic applications where space efficiency is crucial. As an N-Channel MOSFET, the SSM6N815R,LF is designed to allow current flow between the source and drain terminals when a voltage is applied to the gate terminal. This makes it an essential component for switching and amplification in electronic circuits. With a voltage rating of 100V, it can handle moderate power requirements while the 2A current rating allows for efficient flow of electricity. The SSM6N815R,LF offers low ON resistance and fast switching speeds, making it ideal for applications such as power supplies, motor control, LED lighting, and battery management systems. Its compact size and high performance make it a versatile choice for designers looking to optimize space and power efficiency in their electronic designs.
主要特徵
- High power density
- Wide temperature range
- Low thermal resistance
應用
- Construction machinery
- Gaming consoles
- Power distribution systems
![Toshiba Inventory Toshiba Inventory](/files/uploads/inventory/toshiba/toshiba.jpg)
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Category ! | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | TSOP-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
Id - Continuous Drain Current | 2 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 84 mOhms, 84 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V |
Qg - Gate Charge | 3.1 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature ! | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.4 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | U-MOSVIII-H |
Series | SSM6N815 | Brand | Toshiba |
Configuration | Dual | Forward Transconductance - Min | 4.8 S, 4.8 S |
Product Type ! | MOSFET | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 2 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 21 ns, 21 ns | Typical Turn-On Delay Time | 7.5 ns, 7.5 ns |
Unit Weight | 0.000705 oz |
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