SSM3K104TU
General Purpose FET MOSFET
品質保證
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服務與包裝
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SSM3K104TU 數據表
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詳細說明
The SSM3K104TU is a P-channel MOSFET transistor designed for low-voltage applications in portable electronics and small signal switching circuits. It has a continuous drain current rating of 100 mA and a maximum drain-source voltage of -20V, making it suitable for small current applications where space and power efficiency are critical.This MOSFET has a low on-state resistance of 20 ohms, which helps minimize power loss and heat generation during operation. It also features a low gate threshold voltage of -0.45V, enabling it to be easily driven by low voltage signals.The SSM3K104TU is housed in a small SOT-723 package, measuring just 1.0mm x 0.6mm x 0.5mm, making it ideal for applications where space is limited. It is designed to operate over a wide temperature range from -55°C to 150°C, ensuring reliable performance in harsh operating conditions.
![SSM3K104TU SSM3K104TU](/files/uploads/product/b/358a8221-b17c-40dd-7778-08dbbf1058dd.webp)
主要特徵
- Low on-resistance (RDS(ON) = 1.7 ohm)
- Low gate threshold voltage (VGS(th) = 1.2V)
- Low input capacitance (Ciss = 37pF)
- Fast switching speed
- Small package (SOT-23)
- High continuous drain current (ID = 300mA)
- Low leakage current (IDSS = 100nA)
應用
- Portable electronics
- Battery-powered devices
- Small signal amplification circuits
- Electrical switches
- Automotive applications
- Power management systems
- LED lighting
- Voltage regulators
![TOSHIBA Inventory TOSHIBA Inventory](/files/uploads/inventory/toshiba/toshiba.jpg)
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | End Of Life | Pin Count ! | 3 |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 20 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 3 A | Drain Current-Max (ID) | 3 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.056 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 51 pF | JESD-30 Code | R-PDSO-F3 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 0.8 W |
Qualification Status ! | Not Qualified | Surface Mount ! | YES |
Terminal Form ! | FLAT | Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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