SCT3030ALGC11

Silicon carbide N-Channel MOSFET featuring 650V voltage rating, 70A current handling and TrenchMOS technology for optimized performance
7,647 有效庫存

SCT3030ALGC11

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Silicon carbide N-Channel MOSFET featuring 650V voltage rating, 70A current handling and TrenchMOS technology for optimized performance

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詳細說明

SCT3030ALGC11 is a Silicon Carbide Field-Effect Transistor (SICFET) with an N-channel configuration, capable of handling voltage levels of up to 650V and currents up to 70A. The component is packaged in a TO-247N package, which is a widely used form factor for power semiconductors. The use of silicon carbide (SiC) in the SCT3030ALGC11 provides several advantages over traditional silicon-based transistors, including higher efficiency, lower switching losses, and better thermal conductivity, which allows for improved performance in high-power applications. The high voltage and current ratings make it suitable for use in a variety of power electronics applications, such as motor drives, power supplies, and inverters. The SCT3030ALGC11 is designed for high power handling capabilities and high-speed switching, making it ideal for applications where efficiency and reliability are crucial. Its robust design ensures long-term performance in demanding environments.

應用

  • Industrial automation
  • Robotic systems
  • Automotive applications
  • Sensing and monitoring systems
  • Control systems
  • Medical devices
  • Consumer electronics
  • Smart home devices
  • Agricultural equipment
  • Power tools

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Product Category ! MOSFET REACH Details
Technology SiC Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-247-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 650 V
Id - Continuous Drain Current 70 A Rds On - Drain-Source Resistance 30 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 4 V, + 22 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.7 V
Qg - Gate Charge 104 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature ! + 175 C Pd - Power Dissipation 262 W
Channel Mode Enhancement Series SCT3x
Brand ROHM Semiconductor Configuration Single
Fall Time 27 ns Forward Transconductance - Min 9.4 S
Product Type ! MOSFET Rise Time ! 41 ns
Factory Pack Quantity 30 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 48 ns
Typical Turn-On Delay Time 22 ns Part # Aliases SCT3030AL
Unit Weight 0.211644 oz

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 SCT3030ALGC11 PDF 下載

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