RSS060P05FU6TB
MOSFET Load Switching with 45V 6A Pch
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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詳細說明
The RSS060P05FU6TB power MOSFET from ROHM Semiconductor is a cutting-edge semiconductor device tailored for the demanding requirements of automotive applications. With a maximum drain-source voltage of 60V and a continuous drain current of 5A, this MOSFET delivers exceptional performance in voltage regulators and DC-DC converters. Its low on-resistance of 60mΩ significantly reduces power dissipation, resulting in improved efficiency and optimal power management. Additionally, its fast switching speed and low gate charge make it a perfect fit for high-frequency switching circuits
主要特徵
- Manufacturer: Rohm Semiconductor
- Part Number: RSS060P05FU6TB
- Transistor Type: P-Channel MOSFET
- Drain-Source Voltage: -50V
- Continuous Drain Current: -6A
- Power Dissipation: 4.5W
- Package: SOP-8
- RoHS Compliant: Yes
應用
- Power management systems
- Battery charging circuits
- Voltage regulation
- Switching circuits
- DC-DC converters
- Portable electronic devices
- Automotive electronics
- Industrial control systems
- LED lighting
- Solar power systems
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Obsolete | Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 | Configuration | SINGLE |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 6 A | Drain Current-Max (ID) | 6 A |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | P-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 2 W |
Surface Mount ! | YES | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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