RSJ151P10TL
RSJ151P10TL: Power MOSFET with P-channel configuration, offering a robust solution for high voltage and current requirementsRSJ151P10TL
RSJ151P10TL: Power MOSFET with P-channel configuration, offering a robust solution for high voltage and current requirements
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製造商零件號 # : RSJ151P10TL
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包裝/封裝: LPTS
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零件狀態 : Active
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製造商: ROHM
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
品質保證
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運輸與付款
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例子
捲帶式
剪膠帶
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RSJ151P10TL 數據表
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詳細說明
RSJ151P10TL is a MOSFET P-channel power transistor with a maximum voltage rating of 100V and a continuous drain current of 15A. It belongs to the LPTS (Low Power Trench Strip) category, indicating that it is designed to offer low power consumption while still maintaining high performance. This MOSFET is suitable for use in a variety of applications including power management, voltage regulation, and motor control. The RSJ151P10TL features a low on-state resistance, allowing for efficient power transfer with minimal power loss. It also has a fast switching speed, making it ideal for applications that require rapid response times. With a compact and robust design, this MOSFET can withstand high temperatures and harsh operating environments.
應用
- Industrial automation
- Retail automation
- Material handling
- Food and beverage processing
- Pharmaceutical manufacturing
- Packaging
- Automotive
- Robotics
- Assembly lines
- Conveyor systems
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
Factory Lead Time | 52 Weeks | Avalanche Energy Rating (Eas) | 33 mJ |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 15 A | Drain Current-Max (ID) | 15 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.14 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 | JESD-609 Code | e2 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 50 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 30 A |
Surface Mount ! | YES | Terminal Finish | TIN COPPER |
Terminal Form ! | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 10 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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