RN1202

100 milliamp NPN silicon transistor for small signal applications
7,892 有效庫存

RN1202

有效庫存7,892

100 milliamp NPN silicon transistor for small signal applications

  • 製造商零件號 # : RN1202

  • 包裝/封裝: TO-92

  • 製造商: TOSHIBA

  • 產品分類 : Single Bipolar Transistors

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捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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詳細說明

RN1202 is a small-signal bipolar junction transistor (BJT) commonly used in various electronic circuits. It belongs to the NPN transistor family and is designed to amplify or switch electronic signals. The transistor is widely employed in applications such as amplifiers, oscillators, and voltage regulators. The RN1202 has three terminals: the emitter, base, and collector. It is housed in a TO-92 package, which makes it easy to mount on printed circuit boards. The transistor has a maximum collector current of 100 mA and a collector-emitter voltage of 60 V. It also has a maximum power dissipation of 625 mW. One key feature of the RN1202 is its hFE gain, which typically ranges from 100 to 300. This high gain allows for efficient signal amplification. The transistor's low noise and distortion characteristics make it suitable for audio applications. Additionally, its high voltage and current ratings enable it to handle a wide range of circuits.

主要特徵

  • Compact design for easy integration
  • High sensitivity for accurate measurements
  • Wide range of operating temperature
  • Low power consumption for prolonged use
  • Digital output for easy data processing
  • Robust construction for durability in harsh environments

應用

  • Industrial automation
  • Smart home devices
  • Healthcare monitoring systems
  • Asset tracking
  • Environmental sensing
  • Security systems
  • Remote control applications
  • Wearable technology
  • Smart agriculture
  • Logistics and supply chain management
TOSHIBA Inventory

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Part Life Cycle Code Obsolete Pin Count ! 3
Reach Compliance Code ECCN Code EAR99
Additional Feature ! BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 Collector Current-Max (IC) 0.1 A
Collector-Base Capacitance-Max 6 pF Collector-Emitter Voltage-Max 50 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR DC Current Gain-Min (hFE) 50
JESD-30 Code R-PSIP-T3 JESD-609 Code e0
Number of Elements 1 Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style IN-LINE
Polarity/Channel Type NPN Power Dissipation-Max (Abs) 0.3 W
Qualification Status ! Not Qualified Surface Mount ! NO
Terminal Finish TIN LEAD Terminal Form ! THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON Transition Frequency-Nom (fT) 250 MHz
VCEsat-Max 0.3 V

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 RN1202 PDF 下載

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