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RN1106,LF(CT
This product, RN1106,LF, presents a bipolar transistor solution featuring pre-biasing and an embedded resistor, optimizing circuit efficiency
RN1106,LF(CT
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品質保證
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我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
RN1106,LF(CT 數據表
價格 (USD)
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1 | $0.069 | $0.07 |
| 200 | $0.027 | $5.40 |
| 500 | $0.026 | $13.00 |
| 1000 | $0.026 | $26.00 |
這些價格會受到市場波動的影響，需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
RN1106,LF(CT is a Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN component that operates with a voltage rating of 50V and a current rating of 100mA. It has a frequency range of 250MHz and a power dissipation of 100mW. This component is designed for surface mount applications and falls under the SSM (Surface Mount) category. The pre-biased feature of this transistor means that it comes already biased to a specific operating point, eliminating the need for additional biasing circuitry in the application. This simplifies the design process and saves space on the PCB. With its NPN configuration, this transistor allows current to flow from the collector to the emitter when a voltage is applied to the base terminal. This makes it suitable for amplification and switching applications in electronic circuits.
主要特徵
- Low forward voltage drop
- High surge capability
- High temperature soldering guaranteed: 260°C/10 seconds at terminals
- Lead-free finish
- Compliant to RoHS directive
- High current capability
應用
- Home automation
- Security systems
- Remote controls
- Industrial automation
- Robotics
- RFID systems
- Wireless communication
- Personal health monitoring devices
- Smart appliances
- Asset tracking systems
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Manufacturer | Toshiba | Product Category ! | Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| RoHS | Details | Transistor Polarity | NPN |
| Typical Input Resistor | 4.7 kOhms | Typical Resistor Ratio | 0.1 |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOT-416-3 |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 80 | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Continuous Collector Current | 100 mA | Pd - Power Dissipation | 100 mW |
| Series | RN1106MFV | Brand | Toshiba |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | Product Type ! | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | Transistors |
| Unit Weight | 0.000212 oz |
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