PMPB07R0UNX

MOSFET PMPB07R0UN/SOT1220-2/DFN2020M-
9,863 有效庫存

PMPB07R0UNX

有效庫存9,863

MOSFET PMPB07R0UN/SOT1220-2/DFN2020M-

  • 製造商零件號 # : PMPB07R0UNX

  • 包裝/封裝: SOT-1220-2-8

  • 零件狀態 : ACTIVE

  • 製造商: Nexperia USA Inc.

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

  • RoHS:

品質保證

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pg

例子

捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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PMPB07R0UNX 數據表

價格 (USD)

數量 單價 總價
1 $0.354 $0.35
200 $0.142 $28.40
500 $0.137 $68.50
1000 $0.134 $134.00

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詳細說明

Meet the PMPB07R0UNX – an N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) designed for medium power applications. Equipped with advanced Trench MOSFET technology, this transistor delivers unrivaled performance and reliability in a leadless medium power DFN2020M-6 SMD plastic package. Its compact surface-mount design ensures seamless integration in space-restricted setups where efficiency and power density are critical. Boasting low ON-resistance and high current-carrying capability, the PMPB07R0UNX minimizes power loss and offers exceptional thermal management, catering to a wide array of power management and conversion tasks. Whether used in voltage regulators, battery management systems, or motor control units, this FET guarantees top-notch performance and long-term stability. Furthermore, its leadless package facilitates easy assembly and automated manufacturing processes, presenting substantial time and cost benefits for device manufacturers. In essence, the PMPB07R0UNX redefines the benchmark for medium power FETs, providing engineers and designers with a dependable and efficient solution for their power electronics requirements

主要特徵

  • Low noise and electromagnetic interference
  • High voltage and current handling
  • Fast recovery time and high surge capability
  • Rugged and resistant to environmental stressors

應用

  • Motor driver IC
  • PWM controller
  • Synchronous rectifier

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Series TrenchMOS™ Product Status Active
FET Type N-Channel Technology Si
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 11.6A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V Vgs (Max) ±12V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1696 pF @ 10 V Power Dissipation (Max) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Operating Temperature ! -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package DFN2020MD-6 Package / Case SOT-1220-2-8
Base Product Number PMPB07 Manufacturer Nexperia
Product Category ! MOSFET RoHS Details
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
Id - Continuous Drain Current 16.4 A Rds On - Drain-Source Resistance 9 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 12 V, + 12 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 900 mV
Qg - Gate Charge 20 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature ! + 150 C Pd - Power Dissipation 12.5 W
Channel Mode Enhancement Brand Nexperia
Fall Time 15 ns Forward Transconductance - Min 45 S
Product Type ! MOSFET Rise Time ! 12 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Trench MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 31 ns
Typical Turn-On Delay Time 5 ns Part # Aliases 934661977115

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    最小訂購量為 1