PMPB07R3ENAX
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 6-Pin DFN-M EP T/R
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製造商零件號 # : PMPB07R3ENAX
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包裝/封裝: DFN-M EP
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零件狀態 : ACTIVE
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製造商: Nexperia USA Inc.
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
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RoHS:
品質保證
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PMPB07R3ENAX 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $0.415 | $0.42 |
200 | $0.165 | $33.00 |
500 | $0.160 | $80.00 |
1000 | $0.157 | $157.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
The PMPB07R3ENAX is a high-quality N-channel enhancement mode FET that is packaged in a leadless medium power DFN2020M-6 (SOT1220-2) SMD plastic package. It is designed using Trench MOSFET technology, which ensures superior performance and reliability in a wide range of electronic applications. Whether used for power management, voltage regulation, or other industrial and consumer electronic devices, this FET delivers efficient and consistent operation in a compact and durable package
主要特徵
- Fast rise time with minimal overshoot and undershoot
- Low leakage current for reduced power consumption
- High surge withstand capability for robust system protection
應用
- Digital signal processing
- Wireless communication
- Data logging
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Series | TrenchMOS™ | Product Status | Active |
FET Type | N-Channel | Technology | Si |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 12A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 914 pF @ 15 V |
Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta), 12.5W (Tc) | Operating Temperature ! | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | DFN2020M-6 |
Package / Case | DFN2020M-6-8 | Manufacturer | Nexperia |
Product Category ! | MOSFET | RoHS | Details |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Id - Continuous Drain Current | 17 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 8.6 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.2 V |
Qg - Gate Charge | 13 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature ! | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 12.5 W |
Channel Mode | Enhancement | Brand | Nexperia |
Configuration | Single | Fall Time | 3 ns |
Forward Transconductance - Min | 2.8 S | Product Type ! | MOSFET |
Rise Time ! | 2 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | N-Channel Trench MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 13 ns | Typical Turn-On Delay Time | 3 ns |
Part # Aliases | 934662428184 |
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