PMDPB85UPE,115
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin HUSON EP T/R
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製造商零件號 # : PMDPB85UPE,115
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包裝/封裝: 6-UFDFNExposedPad
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零件狀態 : ACTIVE
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製造商: Nexperia USA Inc.
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產品分類 : FET, MOSFET Arrays
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RoHS:
品質保證
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
PMDPB85UPE,115 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $0.575 | $0.58 |
200 | $0.223 | $44.60 |
500 | $0.215 | $107.50 |
1000 | $0.210 | $210.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
The PMDPB85UPE is a high-performance component designed for small-signal applications, utilizing P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) technology. This dual FET is housed in a leadless DFN2020-6 SMD package, making it suitable for surface-mounted device installations. The plastic package ensures durability and reliability in a variety of operating conditions. With Trench MOSFET technology at its core, this transistor offers superior performance and efficiency compared to traditional designs
主要特徵
- Low noise performance
- High speed transmission
- Improved reliability
- Ruggedised package design
應用
- Electronic control
- Communications interface
- Industrial sensor
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Status | Active | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Configuration | 2 P-Channel (Dual) | FET Feature | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 103mOhm @ 1.3A, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.1nC @ 4.5V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 514pF @ 10V |
Power - Max | 515mW | Operating Temperature ! | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 6-UFDFN Exposed Pad |
Supplier Device Package | 6-HUSON (2x2) | Base Product Number | PMDPB85 |
Manufacturer | Nexperia | Product Category ! | MOSFET |
RoHS | Details | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Brand | Nexperia | Product Type ! | MOSFET |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Part # Aliases | 934066843115 | Unit Weight | 0.000238 oz |
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