NSS1C300ET4G

High Voltage PNP Transistor featuring Low VCE(sat) and 3 Ampere Current Handling
5,254 有效庫存

NSS1C300ET4G

有效庫存5,254

High Voltage PNP Transistor featuring Low VCE(sat) and 3 Ampere Current Handling

  • 製造商零件號 # : NSS1C300ET4G

  • 包裝/封裝: DPAK-3

  • 零件狀態 : Active

  • 製造商: Onsemi

  • 產品分類 : Single Bipolar Transistors

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詳細說明

The NSS1C300ET4G On Semi Discrete Semiconductor Product is a single, pre-biased BJT (Bipolar Junction Transistor) with an emitter-base voltage (VEBO) of 6V and a maximum DC collector current of 3A. It is packaged in a TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 case and has a collector-emitter breakdown voltage of 100V. The transistor type is PNP and the collector-emitter saturation voltage is 0.4V. The transistor polarity is PNP and the Vce saturation is 400mV @ 300mA, 3A. The electric current collectors is 3A and the mounting style is SMD/SMT.Features:• Pre-biased BJT• Emitter-base voltage of 6V• Maximum DC collector current of 3A• Collector-emitter breakdown voltage of 100V• Transistor type is PNP• Collector-emitter saturation voltage of 0.4V• Vce saturation of 400mV @ 300mA, 3A• Electric current collectors of 3A• Mounting style of SMD/SMTApplications:• Power management• Automotive• Industrial• Consumer electronics• Lighting

主要特徵

  • AEC-Q101 Compliant and PPAP Capable
  • Pb-Free and RoHS Compliant for Environmental Compliance
  • Automotive Grade IC with Customized Control
  • Certified to UL for North American Markets
  • Qualification Testing for Low Power Applications
  • NSV Prefix for Unique Site Control Requirements

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Active
Part Package Code DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252 Pin Count ! 3
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 29 Weeks Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 3 A Collector-Emitter Voltage-Max 100 V
Configuration SINGLE DC Current Gain-Min (hFE) 50
JESD-30 Code R-PSSO-G2 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 2 Operating Temperature-Max 150 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type PNP Power Dissipation-Max (Abs) 33 W
Surface Mount ! YES Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form ! GULL WING Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON Transition Frequency-Nom (fT) 100 MHz
Manufacturer onsemi Product Category ! Bipolar Transistors - BJT
RoHS Details Mounting Style SMD/SMT
Package / Case DPAK-3 Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 100 V Collector- Base Voltage VCBO 140 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V Collector-Emitter Saturation Voltage 400 mV
Maximum DC Collector Current 3 A Pd - Power Dissipation 33 W
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature ! + 150 C Series NSS1C300E
Brand onsemi Continuous Collector Current 3 A
DC Current Gain hFE Max 360 Product Type ! BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity 2500 Subcategory Transistors
Technology Si Unit Weight 0.012346 oz

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 NSS1C300ET4G PDF 下載

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