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NSVT65011MW6T1G
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
NSVT65011MW6T1G
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-88 T/R
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
NSVT65011MW6T1G 數據表
價格 (USD)
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1 | $0.199 | $0.20 |
| 200 | $0.077 | $15.40 |
| 500 | $0.074 | $37.00 |
| 1000 | $0.073 | $73.00 |
這些價格會受到市場波動的影響，需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
For portable products requiring high-performance transistors, the NSVT65011MW6T1G is an ideal choice. Housed in an ultra-small SOT-363 package, these transistors are highly matched in all parameters, eliminating the need for costly trimming. Their versatile applications include current mirrors, differential amplifiers, and mixers, making them a valuable component for a wide range of electronic devices. Additionally, the complementary PNP equivalent NST65010MW6T1G is also available, providing designers and engineers with even more options for their projects. With their compact size and high level of precision, these transistors are a reliable and efficient solution for any electronic application
主要特徵
- Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS Compliant
- Wide Operating Temperature Range of −40°C to 150°C
- High Frequency Stability for Reliable Operation
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Product Status | Active | Transistor Type | 2 NPN (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA | Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V | Power - Max | 380mW |
| Frequency - Transition | 100MHz | Operating Temperature ! | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | SOT-363-6 |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 | Base Product Number | NSVT65011 |
| Manufacturer | onsemi | Product Category ! | Bipolar Transistors - BJT |
| RoHS | Details | Mounting Style | SMD/SMT |
| Transistor Polarity | NPN | Configuration | Dual |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 65 V | Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 600 mV |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA | Pd - Power Dissipation | 380 mW |
| Gain Bandwidth Product fT | 100 MHz | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature ! | + 150 C | Qualification | AEC-Q101 |
| Brand | onsemi | Product Type ! | BJTs - Bipolar Transistors |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | Transistors |
| Technology | Si | Unit Weight | 0.000265 oz |
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