NP55N055SDG
55A/55V N-Channel Silicon Power MOSFET with TO-252AA PackageNP55N055SDG
55A/55V N-Channel Silicon Power MOSFET with TO-252AA Package
品質保證
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運輸與付款
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詳細說明
NP55N055SDG is a power MOSFET transistor manufactured by ON Semiconductor. It belongs to the N-channel series of MOSFETs and features a drain-source voltage rating of 55V. The transistor is designed for high-speed switching applications, making it suitable for use in various power conversion circuits.The NP55N055SDG has a continuous drain current rating of 110A, which allows it to handle high power levels efficiently. It also has a low on-resistance of 5.5mΩ, which helps reduce power losses and improve overall system efficiency. The MOSFET is housed in a D2PAK package, which provides good thermal performance and allows for easy mounting on a PCB.Additionally, the NP55N055SDG has a gate-source voltage rating of ±20V, ensuring compatibility with a wide range of drive circuits. It also features a low gate charge of 85nC, enabling fast switching speeds and reducing switching losses.
主要特徵
- 600V, 55A N-Channel Power MOSFET
- Low on-resistance
- Fast switching speed
- High gate threshold voltage of 4.5V
- Designed for efficiency and reliability in high-power applications
- TO-263-3 package type
- RoHS compliant
應用
- Motor control
- Power inverters
- Switching regulators
- Battery management systems
- DC-DC converters
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Rohs Code | No | Part Life Cycle Code | Transferred |
Part Package Code | TO-252AA | Pin Count ! | 4 |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 55 V | Drain Current-Max (ID) | 55 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.01 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | TO-252AA | JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
JESD-609 Code | e0 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 220 A | Qualification Status ! | Not Qualified |
Surface Mount ! | YES | Terminal Finish | TIN LEAD |
Terminal Form ! | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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Small Signal Field-Effect Transistor UPA1600GS operates as an N-Channel MOSFET with a drain current capability of 0
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