2SC3012
NPN TO-247VAR Bipolar Junction Transistor
品質保證
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我們已成功獲得各項認證標準,並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議,以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品,我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
2SC3012 數據表
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詳細說明
The 2SC3012 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor designed for high-frequency amplification applications. It is commonly used in various electronic circuits, including RF transmitters, power amplifiers, and oscillator circuits. This transistor features a high fT (transition frequency) of 4 GHz, making it suitable for high-speed switching and amplification.The 2SC3012 has a maximum collector current of 50 mA and a maximum collector-base voltage of 25 V. It also has a low noise figure, making it ideal for low noise amplification in communication systems. The transistor is housed in a TO-18 package, allowing for easy mounting on circuit boards.In terms of electrical characteristics, the 2SC3012 has a typical collector-emitter saturation voltage of 0.3 V at a collector current of 10 mA and a base-emitter saturation voltage of 1.5 V at a base current of 5 mA. It has a typical DC current gain (hFE) of 60 at a collector current of 5 mA.
主要特徵
- High power capability
- low collector-emitter saturation voltage
- Fast switching speed
- Complementary pair with 2SA1209
- Low noise figure
- Complete elimination of problem thermal runaway
應用
- High frequency amplifier circuits
- Radio frequency circuits
- Audio amplifier circuits
- Compact power supply circuits
- Battery charger circuits
- Switching regulator circuits
- LED driver circuits
- Motor control circuits
- High voltage circuits
- High speed switching circuits
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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