NDT02N40T1G
Power MOSFET 400V 0.4A 5.5 Ohm Single N-Channel SOT-223 T1G, SOT-223 (TO-261) 4 LEAD, 1000-REELNDT02N40T1G
Power MOSFET 400V 0.4A 5.5 Ohm Single N-Channel SOT-223 T1G, SOT-223 (TO-261) 4 LEAD, 1000-REEL
品質保證
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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外,我們還保存這些檢查的詳細記錄,以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
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我們已成功獲得各項認證標準,並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議,以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品,我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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捲帶式
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NDT02N40T1G 數據表
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詳細說明
General DescriptionPower SOT N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchilds proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC motor control and DC/DC conversion where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.Features■ 2.7A, 60V. RDS(ON) = 0.2Ω @ VGS = 10V.■ High density cell design for extremely low RDS(ON).■ High power and current handling capability in a widely used surface mount package.
主要特徵
- High Frequency Operation
- Durable Design with Low Vibration
- Certified to IEC/EN Standards
- This Device is EMI Compatible
- Suitable for Aerospace Applications
- Compliant with FCC Regulations
應用
- Create a cozy atmosphere
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Part Life Cycle Code | Obsolete |
Part Package Code | SOT-223 (TO-261) 4 LEAD | Pin Count ! | 4 |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 120 mJ | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 400 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 0.4 A | Drain Current-Max (ID) | 0.4 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0055 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | TO-261AA | JESD-30 Code | R-PDSO-G4 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 4 |
Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 2 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 1.6 A | Surface Mount ! | YES |
Terminal Finish | TIN | Terminal Form ! | GULL WING |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Element Material | SILICON | Manufacturer | onsemi |
Product Category ! | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-223-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 400 V |
Id - Continuous Drain Current | 400 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 4.5 Ohms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
Qg - Gate Charge | 5.5 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature ! | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2 W |
Channel Mode | Enhancement | Series | NDT02N40 |
Brand | onsemi | Fall Time | 4 ns |
Forward Transconductance - Min | 1.1 S | Product Type ! | MOSFET |
Rise Time ! | 7 ns | Factory Pack Quantity | 1000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 14 ns | Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
Unit Weight | 0.008818 oz |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。