NDD02N60Z-1G
MOSFET N-CH 600V 2.2A IPAK
品質保證
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NDD02N60Z-1G 數據表
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詳細說明
The NDD02N60Z-1G power MOSFET from ON Semiconductor is a top-of-the-line N-channel enhancement mode MOSFET designed for high voltage applications. With a maximum drain-source voltage of 600 volts, this MOSFET is perfect for use in power supplies, motor control systems, and lighting applications. Its low on-state resistance of 1.25 ohms reduces conduction losses and improves the efficiency of power switching circuits. The TO-252 (DPAK) package ensures efficient thermal dissipation and easy mounting on circuit boards. The optimized gate charge enables fast switching, reducing switching losses and allowing for high-frequency operation. Additionally, the advanced technology used in the NDD02N60Z-1G MOSFET ensures ruggedness, reliability, and performance in even the most demanding applications. It boasts excellent avalanche energy and di/dt capability, providing robustness against transient overloads and spikes
主要特徵
- This MOSFET is designed for high-frequency switching with low on-resistance
- It has a drain-source voltage rating of 600V and fast switching speed
- The NDD02N60Z-1G offers a continuous drain current of 2A making it suitable for power supplies and motor control
應用
- Ignition Coil
- Frequency Converter
- Power Factor Correction
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs | Mfr | onsemi |
Series | - | Package | Tube |
Product Status | Obsolete | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8Ohm @ 1A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.1 nC @ 10 V | Vgs (Max) | ±30V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 274 pF @ 25 V | FET Feature | - |
Power Dissipation (Max) | 57W (Tc) | Operating Temperature ! | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Supplier Device Package | I-PAK |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Base Product Number | NDD02 |
Manufacturer | onsemi | Product Category ! | MOSFET |
RoHS | Details | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V | Id - Continuous Drain Current | 1.4 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 4 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.5 V | Qg - Gate Charge | 10.1 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 125 C |
Pd - Power Dissipation | 57 W | Channel Mode | Enhancement |
Brand | onsemi | Configuration | Single |
Forward Transconductance - Min | 1.7 S | Product Type ! | MOSFET |
Factory Pack Quantity | 75 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Unit Weight | 0.139332 oz |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
推薦零件
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Power MOSFET 400V 0.4A 5.5 Ohm Single N-Channel SOT-223 T1G, SOT-223 (TO-261) 4 LEAD, 1000-REEL
製造商: Onsemi 包裝/箱: SOT-223
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