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MTD6P10E
Describing MTD6P10E, it's a power MOSFET featuring P-channel technology, capable of handling currents up to 6 A and voltages up to 100 V
MTD6P10E
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品質保證
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運輸與付款
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例子
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MTD6P10E 數據表
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詳細說明
Power MOSFET 6 Amps, 100 VoltsP−Channel DPAKThis Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. The energy efficient design also offers a drain−to−source diode with a fast recovery time. Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and PWM motor controls, these devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.Features• Avalanche Energy Specified• Source−to−Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode• Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits• IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature• Pb−Free Packages are Available
主要特徵
- Avalanche Energy Specified
- Source−to−Drain Diode Recovery Time Comparable to a Discrete Fast Recovery Diode
- Diode is Characterized for Use in Bridge Circuits
- IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
- Pb−Free Packages are Available
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Product Category ! | MOSFET | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | TO-252-3 |
| Transistor Polarity | P-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V | Id - Continuous Drain Current | 6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 660 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 15 V, + 15 V |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 50 W | Channel Mode | Enhancement |
| Brand | onsemi | Configuration | Single |
| Fall Time | 9 ns | Forward Transconductance - Min | 1.5 S |
| Height | 2.38 mm | Length | 6.73 mm |
| Product Type ! | MOSFET | Rise Time ! | 29 ns |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
| Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 18 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 12 ns | Width | 6.22 mm |
| Unit Weight | 0.011640 oz |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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