MBT35200MT1G
Transistor with PNP polarity, made of silicon, designed for small signal applications with a maximum current of 2000 mA and a maximum voltage of 35 VMBT35200MT1G
Transistor with PNP polarity, made of silicon, designed for small signal applications with a maximum current of 2000 mA and a maximum voltage of 35 V
品質保證
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運輸與付款
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
MBT35200MT1G 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $0.367 | $0.37 |
200 | $0.142 | $28.40 |
500 | $0.137 | $68.50 |
1000 | $0.135 | $135.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
The MBT35200MT1G transistor is a versatile component that is suitable for a wide range of portable applications where space is limited. Its PNP configuration allows for easy integration into existing circuit designs, providing a seamless solution for load management tasks. Whether used in smartphones, tablets, or other handheld devices, this transistor offers the performance and reliability needed to ensure smooth operation and efficient power management
主要特徵
- AEC-Q100 Qualified and PPAP Capable
- PbFree, Halogen Free/BFR Free, RoHS Compliant
- High Reliability, Low Power Consumption
- Fault Tolerant Design for Robust Performance
- Wide Operating Temperature Range Available
- Low EMI and RFI for Improved System Signal-to-Noise Ratio
應用
- Motor drive applications
- Industrial automation
- Power management systems
- Uninterruptible power supplies (UPS)
- Electric vehicles
- Solar inverters
- Battery management systems
- Renewable energy systems
- DC-DC converters
- LED lighting
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Manufacturer | onsemi | Product Category ! | Bipolar Transistors - BJT |
RoHS | Details | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | TSOP-6 | Transistor Polarity | PNP |
Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 35 V |
Collector- Base Voltage VCBO | 55 V | Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 260 mV | Maximum DC Collector Current | 2 A |
Pd - Power Dissipation | 625 mW | Gain Bandwidth Product fT | 100 MHz |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 150 C |
Series | MBT35200 | Brand | onsemi |
Continuous Collector Current | - 2 A | Height | 0.94 mm |
Length | 3 mm | Product Type ! | BJTs - Bipolar Transistors |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | Transistors |
Technology | Si | Width | 1.5 mm |
Part # Aliases | MBT35200MT2G | Unit Weight | 0.000705 oz |
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