MT48LC32M16A2P-75
High-speed CMOS technology for efficient performanceMT48LC32M16A2P-75
High-speed CMOS technology for efficient performance
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製造商零件號 # : MT48LC32M16A2P-75
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包裝/封裝: TSOP
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產品分類 : DC DC Switching Controllers
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
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捲帶式
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MT48LC32M16A2P-75 數據表
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詳細說明
General DescriptionThe 512Mb SDRAM is a high-speed CMOS, dynamic random-access memory containing 536,870,912 bits. It is internally configured as a quad-bank DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Each of the x4’s 134,217,728-bit banks is organized as 8,192 rows by 4,096 columns by 4 bits. Each of the x8’s 134,217,728-bit banks is organized as 8,192 rows by 2,048 columns by 8 bits. Each of the x16’s 134,217,728-bit banks is organized as 8,192 rows by 1,024 columns by 16 bits.Features• PC100- and PC133-compliant• Fully synchronous; all signals registered on positive edge of system clock• Internal pipelined operation; column address can be changed every clock cycle• Internal banks for hiding row access/precharge• Programmable burst lengths: 1, 2, 4, 8, or full page• Auto precharge, includes concurrent auto precharge, and auto refresh modes• Self refresh mode• 64ms, 8,192-cycle refresh• LVTTL-compatible inputs and outputs• Single +3.3V ±0.3V power supply
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主要特徵
應用
![Micron Technology Inc Inventory Micron Technology Inc Inventory](/files/uploads/inventory/micron/micron.jpg)
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Obsolete | Ihs Manufacturer | MICRON TECHNOLOGY INC |
Part Package Code | TSOP2 | Package Description | TSOP2, TSOP54,.46,32 |
Pin Count ! | 54 | Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 | HTS Code ! | 8542.32.00.28 |
Access Mode ! | FOUR BANK PAGE BURST | Access Time-Max | 5.4 ns |
Additional Feature ! | AUTO/SELF REFRESH | Clock Frequency-Max (fCLK) | 133 MHz |
I/O Type | COMMON | Interleaved Burst Length | 1,2,4,8 |
JESD-30 Code | R-PDSO-G54 | JESD-609 Code | e3 |
Length | 22.22 mm | Memory Density | 536870912 bit |
Memory IC Type | SYNCHRONOUS DRAM | Memory Width | 16 |
Number of Functions | 1 | Number of Ports ! | 1 |
Number of Terminals | 54 | Number of Words | 33554432 words |
Number of Words Code | 32000000 | Operating Mode ! | SYNCHRONOUS |
Operating Temperature-Max | 70 °C | Organization | 32MX16 |
Output Characteristics | 3-STATE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | TSOP2 | Package Equivalence Code | TSOP54,.46,32 |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Power Supplies ! | 3.3 V |
Qualification Status ! | Not Qualified | Refresh Cycles | 8192 |
Seated Height-Max | 1.2 mm | Self Refresh | YES |
Sequential Burst Length | 1,2,4,8,FP | Standby Current-Max | 0.0035 A |
Supply Current-Max | 0.255 mA | Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6 V |
Supply Voltage-Min (Vsup) | 3 V | Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3.3 V |
Surface Mount ! | YES | Technology | CMOS |
Temperature Grade ! | COMMERCIAL | Terminal Finish | Matte Tin (Sn) |
Terminal Form ! | GULL WING | Terminal Pitch ! | 0.8 mm |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Width | 10.16 mm |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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