MRFE6VP8600HSR5

MOSFET designed for RF applications with an N-channel structure
7,924 有效庫存

MRFE6VP8600HSR5

有效庫存7,924

MOSFET designed for RF applications with an N-channel structure

  • 製造商零件號 # : MRFE6VP8600HSR5

  • 包裝/封裝: NI-1230S

  • 零件狀態 : Obsolete

  • 製造商: NXP

  • 產品分類 : RF FETs, MOSFETs

  • RoHS:

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詳細說明

The MRFE6VP8600HSR5 is an RF MOSFET LDMOS from NXP USA Inc., designed for wireless communication applications such as base stations, repeaters, and amplifiers. This dual configuration device features a frequency of 860MHz, gain of 19.3dB, and voltage rating of 50V. With a power output of 125W, this RF MOSFET is suitable for demanding radio frequency amplifier applications. The NI-1230S package provides easy mounting and reliable operation. Although the part status is obsolete, this device remains a valuable component for legacy systems and retrofits.

主要特徵

  • Capable of Handling>65:1 VSWR through all Phase Angles @ 50 Vdc, 860 MHz, DVB--T (8k OFDM) 240 Watts Avg. Output Power (3 dB Input Overdrive from Rated Pout)
  • Exceptional Efficiency for Class AB Analog or Digital Television Operation
  • Full Performance across Complete UHF TV Spectrum, 470--860 MHz
  • Capable of 600 Watt CW Output Power with Adequate Thermal Management
  • Integrated Input Matching
  • Extended Negative Gate--Source Voltage Range of --6.0 V to +10 V − Improves Class C Performance, e.g. in a Doherty Peaking Stage − Enables Fast, Easy and Complete Shutdown of the Amplifier
  • Characterized from 20 V to 50 V for Extended Operating Range for use with Drain Modulation
  • Excellent Thermal Characteristics
  • RoHS Compliant
  • In Tape and Reel. R6 Suffix = 150 Units, 56 mm Tape Width, 13 inch Reel. R5 Suffix = 50 Units, 56 mm Tape Width, 13 inch Reel.

應用

  • Base stations
  • Repeaters
  • Amplifiers

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Manufacturer NXP Product Category ! RF MOSFET Transistors
RoHS Details Transistor Polarity N-Channel
Technology Si Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 140 V
Operating Frequency ! 470 MHz to 860 MHz Gain 18.8 dB
Output Power ! 600 W Maximum Operating Temperature ! + 150 C
Mounting Style SMD/SMT Package / Case NI-1230S
Brand NXP Semiconductors Configuration Dual
Forward Transconductance - Min 15.6 S Pd - Power Dissipation 1.52 kW
Product Type ! RF MOSFET Transistors Series MRFE6VP8600H
Factory Pack Quantity 50 Subcategory MOSFETs
Transistor Type LDMOS FET Type RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage 10 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.07 V
Part # Aliases 935310858178 Unit Weight 0.467870 oz

常見問題解答

What is MRFE6VP8600HSR5?

The MRFE6VP8600HSR5 is a RF power MOSFET transistor designed by NXP Semiconductors. It is specifically designed for high-power RF amplification applications in the HF, VHF, and UHF frequency ranges.

How Does MRFE6VP8600HSR5 Work?

The MRFE6VP8600HSR5 operates as a high-power RF amplifier utilizing MOSFET technology. It is capable of handling high input power levels and providing high gain and efficiency in RF power amplification applications. The transistor offers high linearity and rugged construction for reliable performance in demanding RF systems.

How Many Pins does MRFE6VP8600HSR5 have and What are the Functions of the Pinout Configuration?

The MRFE6VP8600HSR5 is housed in a PowerSO10 (Power Small Outline) package. The pinout configuration includes:

  • RF1, RF2, RF3: RF input/output and matching network pins.
  • VDD, VGG: Supply voltage and gate bias pins.
  • GND: Ground pin.

What are the Pros and Cons of MRFE6VP8600HSR5?

Pros:

  • High Power Handling: Capable of handling high RF power levels for amplifier applications.
  • High Gain and Efficiency: Provides high gain and efficiency in RF amplification.
  • Wide Frequency Range: Suitable for HF, VHF, and UHF frequency bands.
  • Rugged Construction: Offers robust and reliable performance in harsh RF environments.

Cons:

  • Complexity: Requires careful design considerations for optimal performance in RF systems.
  • Heat Dissipation: High-power RF transistors like the MRFE6VP8600HSR5 may require heat management solutions.

Are There Any Equivalents/Alternatives to MRFE6VP8600HSR5 for Recommendation?

  • The BLF188XR from Ampleon is a comparable RF power MOSFET transistor for high-power applications.
  • Alternatives to the MRFE6VP8600HSR5 include the MRF6VP2600H from NXP and the M/A-COM MAAPSS0077 from MACOM.

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