K4T1G164QE-HCF8

This product is a DDR DRAM with a capacity of 64MX16 and a speed of 0.35ns."
6,271 有效庫存

K4T1G164QE-HCF8

有效庫存6,271

This product is a DDR DRAM with a capacity of 64MX16 and a speed of 0.35ns."

  • 製造商零件號 # : K4T1G164QE-HCF8

  • 包裝/封裝: FBGA84

  • 製造商: SAMSUNG

  • 產品分類 : Application Specific Clock/Timing

品質保證

品質保證

從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

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認證

我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

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關於運送

我們通常會在幾個工作日內通過可靠的運輸公司（例如 FedEx、SF、UPS 或 DHL）運送訂單。 我們還支持其他運輸方式。 如果您想詢問具體的運輸細節或費用，請隨時與我們聯繫。

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關於付款

我們接受多種支付方式，包括VISA、MasterCard、銀聯、西聯、PayPal等渠道。

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服務與包裝

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最後請注意，退貨或換貨的資格取決於對退貨商品實際狀況的評估。 在完成退貨或換貨流程之前，我們將評估收到的貨物。 如果您對退貨或換貨有任何疑問或需要進一步幫助，請隨時通過以下方式聯絡我們： [email protected]

關於包裝

在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。

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例子

捲帶式

捲帶式

剪膠帶

剪膠帶

管或託盤

管或託盤

K4T1G164QE-HCF8 數據表
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詳細說明

The 1Gb DDR2 SDRAM is organized asa 32Mbit x 4 I/Os x 8banks, 16Mbit x 8 I/Os x 8banks or 8Mbit x 16 I/Os x 8 banks device. This synchronous device achieves high speed double-data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin (DDR2-800) for general applications.Key Features• JEDEC standard VDD= 1.8V ± 0.1V Power Supply•VDDQ= 1.8V ± 0.1V• 333MHz fCKfor 667Mb/sec/pin, 400MHz fCKfor 800Mb/sec/pin• 8 Banks• Posted CAS• Programmable CASLatency: 3, 4, 5, 6• Programmable Additive Latenc y: 0, 1, 2, 3, 4, 5• Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1• Burst Length: 4 , 8(Interleave/nibble sequential)• Programmable Sequential / Interleave Burst Mode• Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data-strobe is an optional feature)• Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment• On Die Termination• Special Function Support - 50ohm ODT - High Temperature Self-Refresh rate enable• Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C

主要特徵

  • JEDEC standard VDD= 1.8V ± 0.1V Power Supply
  • VDDQ= 1.8V ± 0.1V
  • 333MHz fCKfor 667Mb/sec/pin, 400MHz fCKfor 800Mb/sec/pin
  • 8 Banks
  • Posted CAS
  • Programmable CASLatency: 3, 4, 5, 6
  • Programmable Additive Latenc y: 0, 1, 2, 3, 4, 5
  • Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1
  • Burst Length: 4 , 8(Interleave/nibble sequential)
  • Programmable Sequential / Interleave Burst Mode
  • Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data-strobe is an optional feature)
  • Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment
  • On Die Termination
  • Special Function Support
  • - 50ohm ODT
  • - High Temperature Self-Refresh rate enable
  • Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C
  • All of products are Lead-Free, Halogen-Free, and RoHS compliant

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Pbfree Code Yes Rohs Code Yes
Part Life Cycle Code Obsolete Reach Compliance Code
ECCN Code EAR99 HTS Code ! 8542.32.00.32
Access Mode ! MULTI BANK PAGE BURST Access Time-Max 0.35 ns
Additional Feature ! AUTO/SELF REFRESH Clock Frequency-Max (fCLK) 533 MHz
I/O Type COMMON Interleaved Burst Length 4,8
JESD-30 Code R-PBGA-B84 JESD-609 Code e1
Length 12.5 mm Memory Density 1073741824 bit
Memory IC Type DDR2 DRAM Memory Width 16
Moisture Sensitivity Level 3 Number of Functions 1
Number of Ports ! 1 Number of Terminals 84
Number of Words 67108864 words Number of Words Code 64000000
Operating Mode ! SYNCHRONOUS Operating Temperature-Max 85 °C
Operating Temperature-Min Organization 64MX16
Output Characteristics 3-STATE Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Code TFBGA Package Equivalence Code BGA84,9X15,32
Package Shape RECTANGULAR Package Style GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Power Supplies ! 1.8 V
Qualification Status ! Not Qualified Refresh Cycles 8192
Seated Height-Max 1.2 mm Self Refresh YES
Sequential Burst Length 4,8 Standby Current-Max 0.015 A
Supply Current-Max 0.215 mA Supply Voltage-Max (Vsup) 1.9 V
Supply Voltage-Min (Vsup) 1.7 V Supply Voltage-Nom (Vsup) 1.8 V
Surface Mount ! YES Technology CMOS
Temperature Grade ! OTHER Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Terminal Form ! BALL Terminal Pitch ! 0.8 mm
Terminal Position BOTTOM Width 7.5 mm

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 K4T1G164QE-HCF8 PDF 下載

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    K4B2G0846D-HYH9

    This DDR DRAM is housed in a FBGA-78 package and is designed to meet environmental regulations

    製造商: SAMSUNG 包裝/箱: BGA

    3,635 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1