K4T1G084QA-ZCE6
Ultra-fast DDR DRAM with Pb-free construction and 68 ball grid array packageK4T1G084QA-ZCE6
Ultra-fast DDR DRAM with Pb-free construction and 68 ball grid array package
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製造商零件號 # : K4T1G084QA-ZCE6
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包裝/封裝: BGA
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製造商: SAMSUNG
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產品分類 : Controllers
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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K4T1G084QA-ZCE6 數據表
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詳細說明
The K4T1G084QA-ZCE6 is a DRAM (Dynamic Random-Access Memory) module manufactured by Samsung. It is part of the SDRAM (Synchronous Dynamic Random-Access Memory) family and is commonly used in various electronic devices, including computers, laptops, servers, and other digital devices.The K4T1G084QA-ZCE6 has a storage capacity of 1 gigabit (Gb) or 128 megabytes (MB) and operates at a speed of 533 MHz. It is built on a 60nm process technology and has a voltage rating of 1.8V. The module uses a 66-pin TSOP-II (Thin Small Outline Package) form factor for easy installation on a PCB (Printed Circuit Board).This DRAM module is organized as a x4 (4-bit) configuration, with a burst length of 4 and a CAS latency of 3. It also supports auto and self-refresh modes to optimize power consumption while maintaining data integrity.The K4T1G084QA-ZCE6 is designed to provide high-speed and reliable memory performance for demanding applications like gaming, video editing, and multitasking. Its low power consumption and high data transfer rate make it a popular choice for both consumer and enterprise products.
主要特徵
- 4Gb DDR2 SDRAM
- Organized as 2M x 8 bits
- Operating power supply: 1.8V
- Chip-selecting input
- Auto-refresh and self-refresh modes
- JEDEC standard
- Industrial temperature range
- Low power consumption
- ECC supported
- Lead-free and RoHS compliant
應用
- Smartphones
- Tablets
- Digital cameras
- Laptops
- Automotive electronics
- VR devices
- Gaming consoles
- Communication equipment
- Network devices
- Medical devices
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Obsolete |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
HTS Code ! | 8542.32.00.32 | Access Time-Max | 0.45 ns |
Clock Frequency-Max (fCLK) | 333 MHz | I/O Type | COMMON |
Interleaved Burst Length | 4,8 | JESD-30 Code | R-PBGA-B68 |
JESD-609 Code | e1 | Memory Density | 1073741824 bit |
Memory IC Type | DDR2 DRAM | Memory Width | 8 |
Moisture Sensitivity Level | 3 | Number of Terminals | 68 |
Number of Words | 134217728 words | Number of Words Code | 128000000 |
Organization | 128MX8 | Output Characteristics | 3-STATE |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Code | FBGA |
Package Equivalence Code | BGA68,9X19,32 | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | GRID ARRAY, FINE PITCH | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Power Supplies ! | 1.8 V | Qualification Status ! | Not Qualified |
Refresh Cycles | 8192 | Sequential Burst Length | 4,8 |
Supply Voltage-Nom (Vsup) | 1.8 V | Surface Mount ! | YES |
Technology | CMOS | Terminal Finish | TIN SILVER COPPER |
Terminal Form ! | BALL | Terminal Pitch ! | 0.8 mm |
Terminal Position | BOTTOM |
Specification Comparison
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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