K4S561632N-LC75
16Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II SDRAM DRAM Chip 256Mbit
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製造商零件號 # : K4S561632N-LC75
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包裝/封裝: TSOP-II
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零件狀態 : ACTIVE
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製造商: Samsung Electronics
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產品分類 : Memory
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RoHS:
品質保證
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運輸與付款
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例子
捲帶式
剪膠帶
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K4S561632N-LC75 數據表
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詳細說明
Experience the next level of computing performance with Samsung's K4S561632N-LC75 SDRAM module. Featuring a storage capacity of 256MB and an operating speed of 133MHz, this module is tailored for systems that require high-speed and high-density memory solutions. Its advanced Double Data Rate (DDR) interface enables rapid data transfer on both clock signal edges, maximizing data transfer rates for seamless performance. With a CAS latency of 3, the K4S561632N-LC75 ensures quick access to stored data, making it an excellent choice for gamers, professionals, and enthusiasts looking to optimize their system's memory capabilities
主要特徵
- Rapid data transfer
- Fault-tolerant architecture
- High-speed interface
- Low power consumption
- Industrial temperature range
應用
- Portable devices
- Electronic gadgets
- Computer peripherals
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
ECCN (US) | EAR99 | Part Status ! | Obsolete |
Automotive | No | PPAP | No |
DRAM Type | SDRAM | Chip Density (bit) | 256M |
Organization | 16Mx16 | Number of Internal Banks | 4 |
Number of Words per Bank | 4M | Number of Bits/Word (bit) | 16 |
Data Bus Width (bit) | 16 | Maximum Clock Rate (MHz) | 133 |
Maximum Access Time (ns) | 6|5.4 | Address Bus Width (bit) | 15 |
Interface Type | LVTTL | Minimum Operating Supply Voltage (V) | 3 |
Typical Operating Supply Voltage (V) | 3.3 | Maximum Operating Supply Voltage (V) | 3.6 |
Operating Current (mA) | 50 | Minimum Operating Temperature (°C) | 0 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 70 | Number of I/O Lines (bit) | 16 |
Mounting | Surface Mount | Package Height | 1 |
Package Width | 10.16 | Package Length | 22.22 |
PCB changed | 54 | Standard Package Name | SO |
Supplier Package | TSOP-II | Pin Count ! | 54 |
Lead Shape | Gull-wing |
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