K4B2G0846C-HCH9

Name: K4B2G0846C-HCH9
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K4B2G0846C-HCH9 is a high-performance 2Gb DDR3 SDRAM chip designed for optimal efficiency.

6,494 有效庫存

K4B2G0846C-HCH9

有效庫存6,494

K4B2G0846C-HCH9 is a high-performance 2Gb DDR3 SDRAM chip designed for optimal efficiency.

製造商零件號 # : K4B2G0846C-HCH9
包裝/封裝: FBGA-78
製造商: SAMSUNG
產品分類 : Memory

品質保證

從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

認證

我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

關於運送

我們通常會在幾個工作日內通過可靠的運輸公司（例如 FedEx、SF、UPS 或 DHL）運送訂單。我們還支持其他運輸方式。如果您想詢問具體的運輸細節或費用，請隨時與我們聯繫。

關於付款

我們接受多種支付方式，包括VISA、MasterCard、銀聯、西聯、PayPal等渠道。

如果您有特定的付款方式或想詢問費率和其他詳細信息，請隨時與我們聯繫。

電匯

Paypal

信用卡

西聯匯款

速匯金

服務與包裝

About After Sales Service

All Parts Extended Quality Guarantee

自發貨之日起 90 天內發起申請。

與我們的工作人員確認退貨或換貨。

保持貨物收到時的原始狀態。

最後請注意，退貨或換貨的資格取決於對退貨商品實際狀況的評估。在完成退貨或換貨流程之前，我們將評估收到的貨物。如果您對退貨或換貨有任何疑問或需要進一步幫助，請隨時通過以下方式聯絡我們： [email protected]

關於包裝

在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。外包裝堅固耐用且閉合牢固。我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。

例子

捲帶式

剪膠帶

管或託盤

K4B2G0846C-HCH9 數據表

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詳細說明

The K4B2G0846C-HCH9 is a 2Gb DDR3 SDRAM memory chip developed by Samsung. It features a voltage range of 1.425V to 1.575V and operates at a clock frequency of 1866 MHz. The chip has a burst length of 8 and a CAS latency of 13, providing reliable and efficient performance for a variety of computing applications.The memory chip is organized as 8 banks with a total of 16,382 refresh cycles every 64ms. It also includes an auto refresh and self refresh mode for power efficiency. The K4B2G0846C-HCH9 supports temperature sensor readout and on-die termination (ODT) for improved signal integrity and stability.In terms of physical specifications, the memory chip comes in a 78-ball FBGA package with a ball pitch of 0.67mm. It operates within a temperature range of -40°C to 95°C, making it suitable for a wide range of operating environments.

主要特徵

4Gb DDR3 SDRAM
High-speed CMOS Synchronous DRAM
Single 1.35V power supply
JEDEC standard
Programmable read or write burst lengths
Auto and self-refresh modes
Available in 96-ball FBGA package

應用

Smartphones
Tablets
Laptops
Digital cameras
MP3 players
Portable gaming devices

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Rohs Code	Yes	Part Life Cycle Code	Obsolete
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code !	8542.32.00.36	Clock Frequency-Max (fCLK)	667 MHz
I/O Type	COMMON	Interleaved Burst Length	8
JESD-30 Code	R-PBGA-B78	JESD-609 Code	e1
Memory Density	2147483648 bit	Memory IC Type	DDR3 DRAM
Memory Width	8	Number of Terminals	78
Number of Words	268435456 words	Number of Words Code	256000000
Operating Temperature-Max	85 °C	Operating Temperature-Min
Organization	256MX8	Output Characteristics	3-STATE
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY	Package Code	FBGA
Package Equivalence Code	BGA78,9X13,32	Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	GRID ARRAY, FINE PITCH	Power Supplies !	1.5 V
Qualification Status !	Not Qualified	Refresh Cycles	8192
Sequential Burst Length	8	Standby Current-Max	0.012 A
Supply Current-Max	0.21 mA	Supply Voltage-Nom (Vsup)	1.5 V
Surface Mount !	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade !	OTHER	Terminal Finish	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Terminal Form !	BALL	Terminal Pitch !	0.8 mm
Terminal Position	BOTTOM