IRFBC30
Transistor MOSFET with N-channel polarity, designed for up to 600V and 3.6A in a TO-220AB packageIRFBC30
Transistor MOSFET with N-channel polarity, designed for up to 600V and 3.6A in a TO-220AB package
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製造商零件號 # : IRFBC30
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包裝/封裝: TO-220-3
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製造商: Stmicroelectronics
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
品質保證
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服務與包裝
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IRFBC30 數據表
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詳細說明
DESCRIPTION• High current, high speed switching• Switch mode power supplies• DC-AC converters for welding equipment and Uninterruptible power supplies and motor Driver.FEATURES• Lower Input Capacitance• Improved Gate Charge• Extended Safe Operating Area• Rugged Gate Oxide Technology
![](/files/uploads/product/b/7095b6c9d5904d899a6b3fe4b3a19d09.webp)
主要特徵
- Robust electromagnetic immunity
- High temperature range operation
- Good surge overload capability
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Product Category ! | MOSFET | RoHS | N |
Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
Id - Continuous Drain Current | 3.6 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 2.2 Ohms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Minimum Operating Temperature | - 65 C |
Maximum Operating Temperature ! | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 75 W |
Channel Mode | Enhancement | Series | IRFBC30 |
Brand | STMicroelectronics | Configuration | Single |
Fall Time | 19 ns | Height | 9.15 mm |
Length | 10.4 mm | Product Type ! | MOSFET |
Rise Time ! | 14 ns | Factory Pack Quantity | 1000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Width | 4.6 mm | Unit Weight | 0.068784 oz |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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