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IRF644
IRF644 product is a 280mΩ@8.4A,10V, 4V@250uA N Channel MOSFETsIRF644
IRF644 product is a 280mΩ@8.4A,10V, 4V@250uA N Channel MOSFETs
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製造商零件號 # : IRF644
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包裝/封裝: TO-220-3
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製造商: Stmicroelectronics
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
IRF644 數據表
價格 (USD)
| 數量 | 單價 | 總價 |
|---|---|---|
| 1 | $2.034 | $2.03 |
| 200 | $0.787 | $157.40 |
| 500 | $0.760 | $380.00 |
| 1000 | $0.747 | $747.00 |
這些價格會受到市場波動的影響，需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
General DescriptionThese N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology.This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converter and switch mode power supplies.Features• 14A, 250V, RDS(on) = 0.28Ω @VGS = 10 V• Low gate charge ( typical 47 nC)• Low Crss ( typical 30 pF)• Fast switching• 100% avalanche tested• Improved dv/dt capability
主要特徵
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Product Category ! | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 250 V |
| Id - Continuous Drain Current | 14 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 280 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Pd - Power Dissipation | 125 W |
| Series | IRF644 | Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single | Product Type ! | MOSFET |
| Factory Pack Quantity | 50 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Type | Power MOSFET Transistors |
| Unit Weight | 0.068784 oz |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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