IPW65R110CFDA
650V Power MOSFET with 31.2A Output
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製造商零件號 # : IPW65R110CFDA
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包裝/封裝: PG-TO247-3
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零件狀態 : ACTIVE
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製造商: infineon
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
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RoHS:
品質保證
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例子
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IPW65R110CFDA 數據表
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詳細說明
When it comes to power field-effect transistors, the IPW65R110CFDA stands out for its impressive specifications and performance capabilities. With a current rating of 31.2A and a voltage rating of 650V, this N-channel silicon MOSFET is well-suited for demanding applications. The low on-state resistance of 0.11ohm ensures efficient power delivery and minimal heat generation. Packaged in a TO-247 casing, this transistor offers easy installation and effective thermal management. The green plastic housing not only enhances the aesthetics of the device but also provides protection from environmental factors. Whether you're designing a new electronic system or upgrading an existing one, the IPW65R110CFDA is a reliable choice that delivers consistent performance
主要特徵
- Ultra-fast body diode
- Very high commutation ruggedness
- Extremely low losses due to very low FOM Rdson^Qg and Eoss
- Easy to use/drive
- Qualified according to AEC Q101
- Green package (RoHS compliant), Pb-free plating, halogen free for mold
- compound
應用
- 650V CoolMOS CFDA is designed for switching applications.
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
IDpuls max | 99.6 A | RthJA max | 62.0 K/W |
RthJC max | 0.45 K/W | Ptot max | 277.8 W |
Topology | Full Bridge | Special Features | automotive |
Qualification | Automotive | Package | PG-TO247-3 |
VDS max | 650.0 V | VGS(th) max | 4.5 V |
Polarity | N | ID max | 31.2 A |
Technology | CoolMOS™ CFDA | VGS(th) min | 3.5 V |
Operating Temperature max | 150.0 °C | Operating Temperature min | -40.0 °C |
RDS (on) max | 110.0 mΩ | Mounting | THT |
QG max | 118.0 nC |
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