IPW60R190C6
Power Field-Effect Transistor, 20.2A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3IPW60R190C6
Power Field-Effect Transistor, 20.2A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
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製造商零件號 # : IPW60R190C6
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包裝/封裝: PG-TO-247
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零件狀態 : NRND
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製造商: INFINEON
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
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IPW60R190C6 數據表
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詳細說明
Infineon's IPW60R190C6 power MOSFET is a prime example of cutting-edge technology at its best, designed to deliver high efficiency and reliability in demanding applications. With the utilization of Infineon's advanced CoolMOS™ C6 technology, this MOSFET strikes the perfect balance between low conduction and switching losses, ensuring maximum efficiency and robustness. Boasting a voltage rating of 600V and a substantial drain current rating of around 29.5A, the IPW60R190C6 is well-suited for applications that require handling high power loads with ease. Housed in a TO-247 package, this MOSFET offers excellent thermal performance and easy mounting onto heat sinks for effective heat dissipation. Its versatility extends to a wide range of power electronics applications, including SMPS, motor drives, lighting systems, and renewable energy systems. The IPW60R190C6's optimized design guarantees high efficiency and reliability, contributing to the improved performance and longevity of electronic systems
![IPW60R190C6 IPW60R190C6](/files/uploads/product/b/355640b3-8f91-4bba-a313-08dbc6589f1f.webp)
主要特徵
- Extremely low losses due to very low FOM RdsonQg and Eoss
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use/drive
- JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen free
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Not Recommended | Part Package Code | TO-247 |
Pin Count ! | 3 | Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 | Avalanche Energy Rating (Eas) | 418 mJ |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 600 V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 20.2 A | Drain Current-Max (ID) | 20.2 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.19 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | TO-247 | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
JESD-609 Code | e3 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 151 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 59 A |
Qualification Status ! | Not Qualified | Surface Mount ! | NO |
Terminal Finish | TIN | Terminal Form ! | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
Manufacturer | Infineon | Product Category ! | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V | Id - Continuous Drain Current | 20.2 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 190 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.5 V | Qg - Gate Charge | 63 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature ! | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 151 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | CoolMOS | Series | CoolMOS C6 |
Brand | Infineon Technologies | Height | 21.1 mm |
Length | 16.13 mm | Product Type ! | MOSFET |
Factory Pack Quantity | 240 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Width | 5.21 mm |
Part # Aliases | SP000621160 IPW6R19C6XK IPW60R190C6FKSA1 | Unit Weight | 0.211644 oz |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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