IPW60R190C6

有效庫存4,360

Power Field-Effect Transistor, 20.2A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

  • 製造商零件號 # : IPW60R190C6

  • 包裝/封裝: PG-TO-247

  • 零件狀態 : NRND

  • 製造商: INFINEON

  • 產品分類 : Single FETs, MOSFETs

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詳細說明

Infineon's IPW60R190C6 power MOSFET is a prime example of cutting-edge technology at its best, designed to deliver high efficiency and reliability in demanding applications. With the utilization of Infineon's advanced CoolMOS™ C6 technology, this MOSFET strikes the perfect balance between low conduction and switching losses, ensuring maximum efficiency and robustness. Boasting a voltage rating of 600V and a substantial drain current rating of around 29.5A, the IPW60R190C6 is well-suited for applications that require handling high power loads with ease. Housed in a TO-247 package, this MOSFET offers excellent thermal performance and easy mounting onto heat sinks for effective heat dissipation. Its versatility extends to a wide range of power electronics applications, including SMPS, motor drives, lighting systems, and renewable energy systems. The IPW60R190C6's optimized design guarantees high efficiency and reliability, contributing to the improved performance and longevity of electronic systems

IPW60R190C6

主要特徵

  • Extremely low losses due to very low FOM RdsonQg and Eoss
  • Very high commutation ruggedness
  • Easy to use/drive
  • JEDEC1) qualified, Pb-free plating, Halogen free

規格

以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。

Pbfree Code Yes Rohs Code Yes
Part Life Cycle Code Not Recommended Part Package Code TO-247
Pin Count ! 3 Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Avalanche Energy Rating (Eas) 418 mJ
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 600 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 20.2 A Drain Current-Max (ID) 20.2 A
Drain-source On Resistance-Max 0.19 Ω FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-247 JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e3 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ! ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style FLANGE MOUNT
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 151 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 59 A
Qualification Status ! Not Qualified Surface Mount ! NO
Terminal Finish TIN Terminal Form ! THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
Manufacturer Infineon Product Category ! MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-247-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V Id - Continuous Drain Current 20.2 A
Rds On - Drain-Source Resistance 190 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3.5 V Qg - Gate Charge 63 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature ! + 150 C
Pd - Power Dissipation 151 W Channel Mode Enhancement
Tradename CoolMOS Series CoolMOS C6
Brand Infineon Technologies Height 21.1 mm
Length 16.13 mm Product Type ! MOSFET
Factory Pack Quantity 240 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Width 5.21 mm
Part # Aliases SP000621160 IPW6R19C6XK IPW60R190C6FKSA1 Unit Weight 0.211644 oz

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 IPW60R190C6 PDF 下載

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