IPD034N06N3G
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PINIPD034N06N3G
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, GREEN, PLASTIC, TO-252, 3 PIN
品質保證
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運輸與付款
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
IPD034N06N3G 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $1.271 | $1.27 |
10 | $1.074 | $10.74 |
30 | $0.967 | $29.01 |
100 | $0.845 | $84.50 |
500 | $0.758 | $379.00 |
1000 | $0.734 | $734.00 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
The IPD034N06N3G power MOSFET from Infineon Technologies is a top-of-the-line component designed for exceptional performance in a variety of power conversion applications. With a maximum drain-source voltage of 60 volts, this MOSFET is versatile enough to be used in a wide range of low to medium voltage setups, making it a go-to choice for engineers seeking efficiency and reliability. What sets it apart is its impressive current handling capability, able to manage continuous drain currents of up to 75 amperes with ease. This makes it ideal for high-power requirements where performance is non-negotiable. Additionally, the IPD034N06N3G boasts a remarkably low on-resistance of only 3.4 milliohms at a gate-source voltage of 10 volts, ensuring minimal power loss and optimal efficiency during switching operations. When it comes to gate charge, this MOSFET excels with a Qg of 40 nanocoulombs, indicating its ability to efficiently switch on and off as needed. Housed in a convenient TO-252 (DPAK) package, the IPD034N06N3G strikes the perfect balance between thermal performance and easy mounting, making it a must-have component for demanding power applications
主要特徵
- Ideal for high-frequency switching and sync. rec.
- Optimized technology for DC/DC converters
- Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance RDS(on)
- N-channel; Normal level
- 100% Avalanche tested
- Pb-free plating; RoHS compliant
- Qualified according to JEDEC1) for target applications
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Part Package Code | TO-252AA |
Pin Count ! | 4 | Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 | Avalanche Energy Rating (Eas) | 149 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 60 V | Drain Current-Max (Abs) (ID) | 100 A |
Drain Current-Max (ID) | 100 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0034 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-252AA |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 | JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 | Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 175 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 167 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400 A |
Qualification Status ! | Not Qualified | Surface Mount ! | YES |
Terminal Finish | TIN | Terminal Form ! | GULL WING |
Terminal Position | SINGLE | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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