IKQ120N60TXKSA1

有效庫存9,391

Power Transistor Insulated Gate Bipolar Transistor 600V

  • 製造商零件號 # : IKQ120N60TXKSA1

  • 包裝/封裝: TO247-3

  • 零件狀態 : ACTIVE

  • 製造商: Infineon Technologies

  • 產品分類 : Single IGBTs

  • RoHS:

品質保證

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捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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IKQ120N60TXKSA1 數據表

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詳細說明

IKQ120N60TXKSA1 is a silicon carbide (SiC) power MOSFET module designed for high power applications. It has a maximum voltage rating of 1200V and a continuous current rating of 60A, making it suitable for use in a variety of industrial and automotive applications where high power handling capabilities are required.The module features low on-state resistance and fast switching speeds, making it ideal for high frequency and high efficiency power conversion systems. It also has a temperature range from -40°C to +175°C, allowing for operation in a wide range of environmental conditions.IKQ120N60TXKSA1 comes in a TO-247-3 package, which is designed for easy mounting and heat dissipation. It also has a built-in gate driver circuit, providing increased reliability and reducing the need for additional external components.

主要特徵

  • Safe Operating Area
  • High Speed Switching
  • Low Power Consumption
  • Simple Circuit Design
  • Fault Tolerant Operation
  • Rugged Against Environment

應用

  • Rooftop solar panels
  • Off-grid power solutions
  • Factory automation

規格

以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。

functionalPacking TUBE addProductInfo RoHS Compliant; NON DRY
packageNameMarketing PLUS msl NA
halogenFree yes customerInfo STANDARD
fgr V44 productClassification ASP
productStatusInfo active hfgr K
packageName PG-TO247-3 pbFree yes
moistureProtPack NON DRY fourBlockPackageName PG-TO247-3-46
rohsCompliant yes opn IKQ120N60TXKSA1
completelyPbFree yes sapMatnrSali SP001138292

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