HUF75639S3ST
UltraFET Power Mosfet rated at 100V with N-Channel configurationHUF75639S3ST
UltraFET Power Mosfet rated at 100V with N-Channel configuration
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製造商零件號 # : HUF75639S3ST
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包裝/封裝: D2PAK-3
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零件狀態 : ACTIVE
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製造商: Onsemi
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
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RoHS:
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
捲帶式
剪膠帶
管或託盤
HUF75639S3ST 數據表
價格 (USD)
數量 | 單價 | 總價 |
---|---|---|
1 | $1.385 | $1.38 |
10 | $1.356 | $13.56 |
30 | $1.335 | $40.05 |
100 | $1.316 | $131.60 |
這些價格會受到市場波動的影響,需要提交報價才能取得最新價格。
詳細說明
Engineered using the latest UltraFET® process, the HUF75639S3ST N-Channel power MOSFET sets a new standard for performance and efficiency. Its remarkably low on-resistance per silicon area ensures optimal power utilization in a variety of applications, from switching converters to low-voltage bus switches. The device's ability to handle high energy in the avalanche mode, coupled with its ultra-fast diode with minimal stored charge and reverse recovery time, makes it a go-to solution for power management in battery-operated products
主要特徵
- 15A, 50V
- Silicon Controlled Rectifier and Inverse
- Fault Monitoring and Reset
- Short Circuit Protection and Overcurrent Limiting
- Pulse Width Modulation and Soft Start
- Efficiency: Up to 80%
應用
- Telecommunications
- Server Racks
- Networking Solutions
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Status | Active | Compliance | PbAHP |
Package Type | D2PAK-3 / TO-263-2 | Case Outline | 418AJ |
MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 245 |
Container Type | REEL | Container Qty. | 800 |
ON Target | Y | Channel Polarity | N-Channel |
Configuration | Single | V(BR)DSS Min (V) | 100 |
VGS Max (V) | ±20 | VGS(th) Max (V) | 4 |
ID Max (A) | 56 | PD Max (W) | 200 |
RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 25 | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 57 |
Ciss Typ (pF) | 2000 | Pricing ($/Unit) | $1.1805Sample |
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