HP8S36TB

High power 29W MOSFETs at 10V
9,563 有效庫存

HP8S36TB

有效庫存9,563

High power 29W MOSFETs at 10V

  • 製造商零件號 # : HP8S36TB

  • 包裝/封裝: HSOP-8

  • 零件狀態 : NRND

  • 製造商: Rohm Semiconductor

  • 產品分類 : FET, MOSFET Arrays

  • RoHS:

品質保證

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例子

捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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HP8S36TB 數據表

價格 (USD)

數量 單價 總價
1 $1.632 $1.63
200 $0.651 $130.20
500 $0.630 $315.00
1000 $0.619 $619.00

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詳細說明

The HP8S36TB is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), belonging to the category of N-channel MOSFETs with a voltage rating of 30V and a maximum continuous drain current of 27A. However, it can handle short bursts of higher currents up to 80A, making it suitable for applications requiring high-power switching. With its 8HSOP (8-pin Small Outline Package) configuration, the HP8S36TB offers compactness and ease of integration into circuit designs. This package typically consists of eight pins arranged in a small outline, facilitating space-saving designs in various electronic applications. As a MOSFET, the HP8S36TB operates by controlling the flow of current between its source and drain terminals via a voltage applied to its gate terminal. Its N-channel design means that it conducts current when a positive voltage is applied to the gate with respect to the source terminal. This component's specifications make it well-suited for a wide range of applications, including power management in portable devices, motor control in robotics, DC-DC conversion in power supplies, and high-frequency switching in inverters and converters.

主要特徵

  • 8TB storage capacity
  • High performance
  • Reliable
  • Designed for HP servers
  • SATA interface
  • Hot-Swappable

應用

  • High-performance computing
  • Cloud computing
  • Big data analytics
  • Artificial intelligence
  • Database management
  • Genomics research
  • Financial modeling
  • Scientific simulations
  • Oil and gas exploration
  • Weather forecasting

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Product Status Not For New Designs Configuration Dual
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A, 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 32A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6100pF @ 15V
Power - Max 29W Operating Temperature ! -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Package / Case HSOP-8
Supplier Device Package 8-HSOP Base Product Number HP8S36
Manufacturer ROHM Semiconductor Product Category ! MOSFET
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V Id - Continuous Drain Current 27 A, 80 A
Rds On - Drain-Source Resistance 6.7 mOhms, 2 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V, - 12 V, + 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.3 V Qg - Gate Charge 4.8 nC, 47 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature ! + 150 C
Pd - Power Dissipation 3 W Channel Mode Enhancement
Brand ROHM Semiconductor Fall Time 3.4 ns, 66 ns
Forward Transconductance - Min 10 S, 30 S Product Type ! MOSFET
Rise Time ! 4.5 ns, 27 ns Factory Pack Quantity 2500
Subcategory MOSFETs Transistor Type 2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 25.5 ns, 186 ns Typical Turn-On Delay Time 9.6 ns, 34 ns
Part # Aliases HP8S36 Unit Weight 0.027197 oz

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    最小訂購量為 1