HP8KA1TB

MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP
9,767 有效庫存

HP8KA1TB

有效庫存9,767

MOSFET 2N-CH 30V 14A 8HSOP

  • 製造商零件號 # : HP8KA1TB

  • 包裝/封裝: HSOP-8

  • 零件狀態 : ACTIVE

  • 製造商: Rohm Semiconductor

  • 產品分類 : FET, MOSFET Arrays

  • RoHS:

品質保證

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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

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例子

捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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HP8KA1TB 數據表

價格 (USD)

數量 單價 總價
1 $0.349 $0.35
200 $0.135 $27.00
500 $0.130 $65.00
1000 $0.128 $128.00

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詳細說明

Mosfet Array 30V 14A 3W Surface Mount 8-HSOP

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Product Status Active Technology Si
Configuration Dual FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 14A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2550pF @ 15V
Power - Max 3W Operating Temperature ! 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Package / Case HSOP-8
Supplier Device Package 8-HSOP Base Product Number HP8KA1
Manufacturer ROHM Semiconductor Product Category ! MOSFET
RoHS Details Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V Id - Continuous Drain Current 14 A
Rds On - Drain-Source Resistance 7 mOhms, 7 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V Qg - Gate Charge 24 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature ! + 150 C
Pd - Power Dissipation 3 W Channel Mode Enhancement
Brand ROHM Semiconductor Fall Time 40 ns, 40 ns
Forward Transconductance - Min 14 S, 14 S Height 1.1 mm
Length 5.8 mm Product MOSFETs
Product Type ! MOSFET Rise Time ! 30 ns, 30 ns
Factory Pack Quantity 2500 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 2 N-channel Type Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time 85 ns, 85 ns Typical Turn-On Delay Time 25 ns, 25 ns
Width 5 mm Part # Aliases HP8KA1
Unit Weight 0.027197 oz

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