HP8K22TB

The HP8K22TB device is a MOSFET with N-channel and P-channel silicon technology rated at 30V
8,330 有效庫存

HP8K22TB

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The HP8K22TB device is a MOSFET with N-channel and P-channel silicon technology rated at 30V

  • 製造商零件號 # : HP8K22TB

  • 包裝/封裝: HSOP-8

  • 零件狀態 : ACTIVE

  • 製造商: Rohm Semiconductor

  • 產品分類 : FET, MOSFET Arrays

  • RoHS:

品質保證

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捲帶式

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管或託盤

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詳細說明

Mosfet Array 30V 27A, 57A 25W Surface Mount 8-HSOP

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Product Status Active Configuration Dual
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A, 57A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6mOhm @ 20A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.8nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1080pF @ 15V
Power - Max 25W Operating Temperature ! -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Package / Case HSOP-8
Supplier Device Package 8-HSOP Base Product Number HP8K22
Manufacturer ROHM Semiconductor Product Category ! MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 2 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
Id - Continuous Drain Current 27 A, 57 A Rds On - Drain-Source Resistance 6.7 mOhms, 3.6 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1.3 V
Qg - Gate Charge 10 nC, 16.8 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature ! + 150 C Pd - Power Dissipation 3 W
Channel Mode Enhancement Brand ROHM Semiconductor
Fall Time 3.4 ns, 8.4 ns Forward Transconductance - Min 10 S, 18 S
Product Type ! MOSFET Rise Time ! 4.5 ns, 7.2 ns
Factory Pack Quantity 2500 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 2 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 25.5 ns, 34.7 ns
Typical Turn-On Delay Time 9.6 ns, 13.2 ns Part # Aliases HP8K22
Unit Weight 0.027197 oz

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