GT50J101

TO-3PL Encased N-Channel IGBT Transistor, 50 Amperes, 600 Volts
6,901 有效庫存

GT50J101

有效庫存6,901

TO-3PL Encased N-Channel IGBT Transistor, 50 Amperes, 600 Volts

  • 製造商零件號 # : GT50J101

  • 包裝/封裝: TO-3PL

  • 製造商: Toshiba

  • 產品分類 : Single IGBTs

品質保證

品質保證

從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

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我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

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服務與包裝

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例子

捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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GT50J101 數據表
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詳細說明

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 :http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429* GT30G124- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C  :  430V- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A* GT30J124- Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C  :  600V- IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200AApplications and Features : Plasma display panels

主要特徵

Toshiba Inventory

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Part Life Cycle Code Obsolete Part Package Code TO-3PL
Pin Count ! 2 Reach Compliance Code
Additional Feature ! HIGH SPEED Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 50 A Collector-Emitter Voltage-Max 600 V
Configuration SINGLE Fall Time-Max (tf) 350 ns
JESD-30 Code R-PSFM-T3 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style FLANGE MOUNT
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Power Dissipation Ambient-Max 200 W
Qualification Status ! Not Qualified Surface Mount ! NO
Terminal Form ! THROUGH-HOLE Terminal Position SINGLE
Transistor Application POWER CONTROL Transistor Element Material SILICON
VCEsat-Max 4 V

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 GT50J101 PDF 下載

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