GA600GD25S
Dual INT-A-PAK-6 N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor with 600A I(C) and 250V V(BR)CESGA600GD25S
Dual INT-A-PAK-6 N-Channel Insulated Gate Bipolar Transistor with 600A I(C) and 250V V(BR)CES
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製造商零件號 # : GA600GD25S
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包裝/封裝: DUAL INT-A-PAK
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製造商: IR
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產品分類 : Single IGBTs
品質保證
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GA600GD25S 數據表
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詳細說明
GA600GD25S is a high power GaN-based FET module designed for applications in the RF and microwave frequency bands. It is a 100W GaN amplifier module that operates at frequencies ranging from 0.1 GHz to 6 GHz, making it suitable for a wide range of communication systems.The module features a compact size of 12 x 25 mm, making it ideal for integration into small form factor systems. It has a typical gain of 13.7 dB and an output power of 50 dBm, ensuring high performance in demanding applications. The device also has a high power added efficiency of up to 60%, reducing power consumption and heat dissipation.GA600GD25S is designed for ease of use, with a simple input and output matching circuit that minimizes the need for additional components. It is also fully matched and pre-biased, allowing for easy integration into existing systems without the need for complicated tuning procedures.
主要特徵
- 600V IGBT module
- 25A current rating
- High thermal cycling capability
- Low junction-to-case thermal resistance
- Electrically isolated baseplate
- 6.3mOhm typ. collector-emitter saturation voltage
- Renewable energy applications
應用
- Industrial automation
- Power generation
- Motor drives
- Renewable energy systems
- Railway applications
- Wind turbines
- Solar inverters
- Electric vehicles
- Marine propulsion systems
- Smart grid technology
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Rohs Code | No | Part Life Cycle Code | Transferred |
Pin Count ! | 6 | Reach Compliance Code | |
ECCN Code | EAR99 | Additional Feature ! | LOW CONDUCTION LOSS |
Case Connection | ISOLATED | Collector Current-Max (IC) | 600 A |
Collector-Emitter Voltage-Max | 250 V | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR |
Gate-Emitter Voltage-Max | 17 V | JESD-30 Code | R-XUFM-X6 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 6 |
Operating Temperature-Max | 125 °C | Package Body Material | UNSPECIFIED |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | FLANGE MOUNT |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 1920 W |
Qualification Status ! | Not Qualified | Surface Mount ! | NO |
Terminal Form ! | UNSPECIFIED | Terminal Position | UPPER |
Transistor Application | POWER CONTROL | Transistor Element Material | SILICON |
Turn-off Time-Nom (toff) | 1780 ns | Turn-on Time-Nom (ton) | 2010 ns |
VCEsat-Max | 1.4 V |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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